格羅方德 7 奈米測試良率達 65%,未來將積極布局中國市場

作者 | 發布日期 2017 年 10 月 31 日 10:30 | 分類 GPU , 國際貿易 , 手機 follow us in feedly

因競爭對手台積電、三星陸續在 2018 年挺進 7 奈米先進製程,格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)日前也宣布,該公司的 7 奈米製程不但在測試良率已提升到 65%,未來將按照時程使用 EUV 技術的商用和普及,並與客戶 AMD 展開合作。根據格羅方德先前公布,7 奈米製程將在 2018 年推出,並在年底量產。




根據格羅方德全球銷售和業務發展高級副總裁 Mike Cadigan 日前在中國上海舉辦的 GTC 技術大會演講表示,隨著 5G 即將開始商用,資料傳輸的速度越來越高,手機需要滿足高速且大量的資料傳輸,需要不同以往的射頻元件。在高性能運算需求方面,格羅方德將提供 FinFET 製程,從 14LPP 到 12LP,再到 7LP 等各節點的製程技術。

格羅方德首席技術長兼全球研發高級副總裁 Gary Patton 指出,目前 7 奈米製程的 7LP EUV 技術已有積極進展。7 奈米 LP 製程預期將比 14 奈米製程效能提升 40%、功耗降低 60%。目前,7 奈米測試良率已經提高到 65%,將按計劃進行 EUV 技術的商用和普及,並且與客戶 AMD 合作。

Gary Patton 坦言,在 EUV 技術上,格羅方德的 7 奈米製程確實面臨很多挑戰,包括如何進一步提升良率、光罩防塵膜瑕疵等問題,必須努力克服才能投入大規模量產,目標是將良率提高到 95%。格羅方德目前採取分階段採用 EUV 技術的策略,第一階段將不採用光罩防塵膜(pellicle),第二階段才會使用。

除了先進製程,傳統的成熟製程一般很難滿足所有應用的要求,物聯網(IOT)對低功耗的要求更高,因此低功耗高性價比要求的應用,格羅方德也針對物聯網、行動通信、射頻晶片提供 22FDX、12FDX 等製程解決方案。

Gary Patton 指出,目前格羅方德 20、22 奈米已進入量產準備階段,且 2018 年底前已有 15 個設計定案,並陸續有 135 家客戶展開初期接觸。他指出,目前 12FDX 性能已經 90% 達到目標,預計 2018 年下半年進入試產,2019 年上半年正式量產。

格羅方德在中國的布局方面,受矚目的成都晶圓廠 Fab 11(11 廠)廠房施工建設歷時 8 個多月,一期廠房即將於 11 月初封頂,項目進展十分順利。預計在 2018 年完工時,將成為中國境內最大的晶圓廠,並成為中國最先進 12 吋晶圓廠之一。同時,Fab 11 也將成為格羅方德  22FDX 製程的生產中心。

預計先期 Fab 11 會以生產 0.13 微米到 0.18 微米的主流成熟技術產品為主,每月產能為 20,000 片。到 2019 年下半年,將進行高度差異化的 22FDX(FD-SOI)製程量產,屆時產量將提高至每月 65,000 片。

(首圖來源:格羅方德)