傳三星擴產 DRAM,全球產能恐飆 2 成

作者 | 發布日期 2017 年 10 月 31 日 13:30 | 分類 Samsung , 記憶體 , 零組件 follow us in feedly

三星電子準備按下毀滅開關,記憶體的超級週期將畫上句點?據傳三星為了防止中國廠染指 DRAM,打算大舉擴產,未來全球 DRAM 產出可能一舉暴增 20%。



韓媒 etnews 31 日報導,據了解,三星正在改裝南韓華城(Hwasung)廠 16 號線,此一產線原本生產 2D NAND flash,明年第一季起將量產 DRAM。另外,三星的南韓平澤廠也在打造新 DRAM 產線,第一階段產能估計明年第三季開出。

預計 2018 年三星在華城廠和平澤廠的 DRAM 產出將增加 6 萬片,規模不算太大。問題在 2018 年下半之後,三星計劃把華城 16 號線全數用於生產 DRAM,若閒置空間全數使用,DRAM 產能將增加 13.5 萬片。不只如此,屆時平澤廠 DRAM 投資也進入第二階段,DRAM 產能將增 10 萬片。兩廠相加,等於開出 23.5 萬片的新產能。

做為對照,今年第三季全球 DRAM 產能為每月 110 萬片,要是三星真的增產 23.5 萬片,全球 DRAM 供給將飆升 20%。內情人士透露,部分三星高層認為,要在中國跨入 DRAM 市場之前,先結束 DRAM 熱潮。三星電子實質掌門權五鉉明年初下台,掌管三星半導體業務的金奇南(Kim Ki-nam),是呼聲極高的接班人,據悉金奇南支持大幅增產。

不只如此,SK 海力士也在中國無錫興建新廠,預計 2018 年底完工,2019 年安裝設備,產能為每月 12 萬片。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock) 

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