Western Digital 全新 3D NAND iNAND 嵌入式快閃記憶體產品系列,帶動行動數據蓬勃發展

作者 | 發布日期 2017 年 12 月 05 日 15:45 | 分類 市場動態 , 記憶體 , 零組件 follow us in feedly

Western Digital 公司 5 日推出全新 iNAND 嵌入式快閃記憶體(EFD)產品系列,讓智慧型手機使用者能夠盡情地享受現今由數據驅動的各種應用與體驗。新推出的 iNAND 8521 和 iNAND 7550 嵌入式快閃記憶體,採用 Western Digital 64 層 3D NAND 技術以及先進的 UFS 與 e.MMC 介面技術,提供出色的數據效能與龐大的儲存容量。用於智慧型手機與輕薄運算裝置時,這兩款產品能加速實現以數據為中心的各式應用需求,包括擴增實境(AR)、高解析視訊的擷取、豐富的社群媒體體驗,以及近期崛起的人工智慧(artificial intelligence,AI)與物聯網(IoT) 「邊際」(edge)體驗。



數據的數量、速度、種類與價值,持續在大數據(Big Data)、快數據(Fast Data)與個人數據中倍數成長並持續演化,而全球各地為數眾多的消費者,都將透過智慧型手機體驗這一波數據匯流風潮。

Counterpoint Research 裝置及生態系統研究總監(research director of devices and ecosystems)Neil Shah 表示:「我們估計在 2018 年底,全球智慧型手機平均儲存容量將攀升到 60GB 以上,以支援裝置中比重越來越高的豐富多媒體內容,以及人工智慧、擴增實境等各種由數據驅動的體驗。這代表先進 3D NAND 嵌入式快閃儲存解決方案是大勢所趨,而這些豐富的體驗也將被提升到更高的層次。」

Western Digital 嵌入式與整合解決方案部門副總裁 Christopher Bergey 指出:「除了 360 度影片及多鏡頭相機,行動應用程式也開始採用人工智慧技術提供更佳的體驗,推動智慧型手機數據為中心的本質至全新境界。我們創新的 iNAND 解決方案,為現今密集的行動應用程式及體驗,打造出最合適的數據環境,並支援其蓬勃發展。結合 Western Digital 領先業界的 X3 3D NAND 技術,以及具備應用感知(application-aware)的 SmartSLC 技術的全面提升,得以提供用戶最智能及卓越效能的 iNAND 裝置。這些 iNAND 產品系列的新成員,讓我們能夠持續滿足全球行動市場不斷增長的行動數據需求。」

iNAND 8521 嵌入式快閃記憶體  展現未來 5G 網路的效能

iNAND 8521 嵌入式快閃記憶體專為對數據應用有強度需求的使用者設計,採用 UFS 2.1 介面以及 Western Digital 最新的第五代 SmartSLC 技術,與前一代針對旗艦智慧型手機所推出的 iNAND 7232嵌入式快閃記憶體相比,連續寫入速度最高為其兩倍(註 1),隨機寫入速度最高可達 10 倍(註 2)。iNAND 8521 能快速且智能地回應使用者的應用程式效能需求,無論操作虛擬實境遊戲或下載高解析電影的速度皆如虎添翼。iNAND 8521 嵌入式快閃記憶體的數據傳輸速度卓越出眾,讓行動用戶能夠充分利用最新 Wi-Fi 速度,並在電信服務供應商提供5G 網路時可以使用網路增強技術。

iNAND 7550 專為輕便、高容量主流智慧型手機所設計

iNAND 7550 嵌入式快閃記憶體讓行動裝置製造商生產符合成本效益的智慧型手機與運算裝置,提供充足的儲存空間,滿足消費者持續增加的數據需求,並同時提供快速的應用程式體驗。其採用 e.MMC 5.1 規格,是 Western Digital 採用 e.MMC 介面所推出的眾多產品中效能最高的 iNAND 嵌入式快閃記憶體,連續寫入效能最高 260 MB/s,隨機讀/寫效能則分別為 20K IOPS 和 15K IOPS(註 3),讓 iNAND 7550 得以增強開機與應用程式開啟時間。

上市時間與更多產品特色

以 SanDisk 品牌推出的 iNAND 8521 和 iNAND 7550 嵌入式快閃記憶體是 iNAND 系列的生力軍,十多年來該系列已備受全球各大智慧型手機與平板製造商信賴。Western Digital 目前已針對 iNAND 8521 與 iNAND 7550 儲存解決方案為 OEM 客戶提供樣本,容量最高為 256GB(註 4)。更多産品資訊,包括 OEM 工具及資源等資訊,請參考官方網站

註 1:連續寫入速度最高 500MB/s,iNAND 7232 則為 160 MB/s。依據內部測試;效能可能因記憶體容量丶主機裝置、檔案屬性、作業系統與應用程式而異。
註 2:隨機寫入速度為 45K IPOS,iNAND 7232 則為 4K IOPS。依據內部測試;效能可能因記憶體容量、主機裝置、檔案屬性、作業系統與應用程式而異。
註 3:依據內部測試;效能可能因記憶體容量、主機裝置、檔案屬性、作業系統與應用程式而異。
註 4:1GB 等於 10 億位元組。實際使用容量可能較少。

(首圖來源:SanDisk)