智慧手機新品延賣、增產腳步延遲,DRAM 價創 2 年 10 個月高

作者 | 發布日期 2017 年 12 月 18 日 13:30 | 分類 手機 , 晶片 , 記憶體 follow us in feedly

日經新聞 15 日報導,半導體記憶體代表性產品 DRAM 價格持續走揚,12 月份指標性產品中的 DDR3 2Gb 批發價格較 11 月份揚升 3% 至每個約 1.9 美元左右、4Gb 產品也揚升 1% 至 3.6 美元左右,較年初相比,上述兩款產品價格皆大增 2 成,創下 2 年 10 個月來新高水準。



據報導,智慧手機廠商新機種開賣時間較往年推延,加上 DRAM 廠商增產腳步延遲,是推升 DRAM 價格揚升的主因。蘋果(Apple)iPhone X 開賣時間較往年機種延後 1 個月至 11 月份,也讓部分中國智慧手機廠商為了觀察 iPhone X 動向,而將新機種開賣時間較年末推延至 2018 年初,推升年末的 DRAM 需求。

和 DRAM 增產息息相關的線路細微化沒進展,是造成 DRAM 缺貨(增產延遲)的主因。據記憶卡廠商指出,2017 年最先端的 20nm 以下 DRAM 產品占整體市場比重恐僅 2 成左右,比重擴大速度未達預期。

報導指出,三星等 DRAM 廠商預估將在 2018 年加快增產腳步,根據國際半導體設備材料產業協會(SEMI)指出,2017 年全球 DRAM 產能預估僅將年增 3%,2018 年預估將大增 10%。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock)