高通研發 NanoRings 技術,有望在 7 奈米製程解決電容問題

作者 | 發布日期 2017 年 12 月 20 日 9:00 | 分類 奈米 , 晶片 , 會員專區 follow us in feedly


目前,製造先進晶片離不開電晶體,核心在於垂直型柵極矽,原理是當裝置開關開啟時,電流就會通過該部位,然後讓電晶體運轉。但業界的共識認為,這種設計不可能永遠用下去,一招打天下,總會遇到不管用的那天。IBM 開始著手探索新設計,並命名為 Nanosheets,可能會在未來幾年投入使用。而高通似乎有不同想法。

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