三星宣布搶先業界量產第二代 1y 奈米製程 DRAM

作者 | 發布日期 2017 年 12 月 20 日 16:30 | 分類 Samsung , 記憶體 , 零組件 follow us in feedly

南韓科技大廠三星 20 日宣布,已經開始量產第二代的 1y 奈米製程的 DRAM 產品。三星表示,該項 DRAM 產品為  8Gb 的 DDR4 DRAM 第二代產品。相較於上一代產品來說,新的 8Gb DDR4 具有 8Gb DRAM 記憶體中最高的性能和耗能效率,另外還有更小的面積尺寸。




三星進一步指出,透過開發 DRAM 的電路設計和製程技術創新,三星已經突破了 DRAM 擴展性的主要障礙。透過第二代 1y 奈米製程生產的 DRAM 快速成長,三星將更加積極地擴展整體的 1y 奈米製程程的 DRAM 產品產能,以因應強勁的市場需求,並繼續加強三星的業務競爭力。

據了解,三星的第二代 1y 奈米製程所生產的 8Gb DDR4,比第一代 1y 奈米製程的 8Gb DDR4 DRAM 在生產效率上提高了近 30%。此外,由於採用了先進的專有電路設計技術,新的 8Gb DDR4 的性能水準和功耗分別提高了約 10% 和 15%。另外,新的 8Gb DDR4 每個引腳可以以每秒 3,600 Mbps 的速度運行,比第一代 1y 奈米製程的 8Gb DDR4 DRAM 的 3,200 Mbps 速度,提升了超過 10%。

三星進一步表示,為了達成這些成績,三星應用了新技術,包括了使用高靈敏度的細胞數據傳感系統和漸進的 「空氣間隔」 方案,但是並沒有使用 EUV 技術。而在第二代 1y 奈米製程所生產的 8Gb DDR4 的每個單元中,新設計的數據感測系統可以更準確地確定每個單元中儲存的數據,進而顯著提高電路整合度和製造效率。

目前在全球 DRAM 三大廠中,包括三星及美光都在 2016 年陸續導入 10 奈米等級製程,而 SK 海力士則是到 2017 年中之後才開始逐步進入 10 奈米等級製程。不過,根據之前所傳出的消息,三星與美光兩家公司在導入 10 奈米等級製程的過程並不順利,都先後出現過相關產品有瑕疵而召回的情況,而這也是自 2016 年中以來 DRAM 市場一直供不應求、價格節節攀升的原因之一。如今,在三星第二代 10 奈米等級製程的 DRAM 產品量產下,是否能逐步滿足市場的需求,業界人士都在密切關注著。

(首圖來源:三星官網)