記憶體不同調,DRAM 仍緊、NAND 恐過剩

作者 | 發布日期 2017 年 12 月 24 日 21:56 | 分類 晶片 , 記憶體 , 零組件 follow us in feedly

記憶體明年市況恐將不同調,動態隨機存取記憶體DRAM)市場仍將持續吃緊,儲存型快閃記憶體(NAND Flash)市場則將於明年上半年轉為供過於求。




DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處於供不應求狀態,產品價格同步高漲,只是業界普遍預期,明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調。

記憶體模組廠創見指出,DRAM 市場供貨持續吃緊,價格未見鬆動跡象。NAND Flash 方面,隨著 3D NAND Flash 技術日益成熟,生產良率改善,可望填補供貨缺口。

另一記憶體模組廠威剛表示,短期內全球 DRAM 大廠仍理性看待產能議題,並未有大幅破壞產業生態的計畫,持續正面看待 DRAM 市況。

NAND Flash 方面,威剛指出,隨著供應商 3D NAND Flash 良率逐步改善,預期明年第 1 季整體供需將出現轉變。

美國記憶體製造廠美光(Micron)預期,明年 DRAM 位元供給將增加約 20%,市場環境仍將持續健康;NAND Flash 位元供給則將增加近 50%,供給增加幅度將遠高於 DRAM。

(記者:張建中;首圖來源: 美光科技) 

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