中國發改委與三星傳將簽 MOU,估將壓抑 DRAM 漲幅、加速增產

作者 | 發布日期 2018 年 02 月 01 日 15:00 | 分類 Samsung , 中國觀察 , 晶片 follow us in feedly

TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)指出,由於記憶體價格延續呈現超過 6 季的上漲,造成數家中國智慧型手機品牌廠不堪成本壓力,因此在 2017 年年底,中國發改委員會正式對三星半導體表達不滿,進一步造成第一季行動式記憶體的漲幅有所收斂。近日也傳出南韓政府偕同三星電子將可能在近期與中國發改委簽署備忘錄,內容將涵蓋在半導體領域的相關合作,其中包含擴大在中國投資以及技術合作的可能性。



由於中國地區在近年內是記憶體產出的最大出海口,不管是國內需求或是外銷,透過中國所購買的記憶體比重持續增加,因此,對於中國市場的抗議,三星必須給予尊重及反應。DRAMeXchange 研究協理吳雅婷指出,此次事件將可能對未來記憶體產業產生以下兩種影響:

一、DRAM 雖仍呈供貨吃緊狀態,但未來漲幅將受抑制

就 DRAM 領域來看,目前供應商在生產行動式記憶體的獲利遠低於其他產品別,而受到第一季智慧型手機的低迷需求影響,再加上中國發改委的動作,預期未來價格漲幅將更受抑制。展望未來,供應商預期會持續將現有的產能從行動式記憶體轉向更高毛利產品,造成其他產品別的價格漲幅也進一步收斂。

二、供應商為避免價格漲幅過高,新增產能的可能性增加

其次,在 NAND Flash 領域,2018 年由於 3D NAND Flash 的比重持續提高,因此供貨吃緊的狀態較 2017 年大幅改善。然而,觀察 DRAM 供給,由於目前並未有新增產能貢獻位元產出,造成 2018 年仍屬供不應求狀態。DRAMeXchange 分析,為因應中國官方代表本土企業對於記憶體價格持續上漲所表達的強烈不滿,對供應商而言,在漲價受到抑制、成本下降不易的考量下,新增產能的可能性與時程皆可能轉趨積極,透過增加產能來貢獻位元產出不僅可以維持價格穩定,也希望藉此維持該企業在 DRAM 產品的絕對獲利。

(首圖來源:shutterstock)

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