英特爾與美光在 3D NAND 96 層後終止合作,將各自尋找合作夥伴

作者 | 發布日期 2018 年 03 月 01 日 14:45 | 分類 晶片 , 記憶體 , 零組件 follow us in feedly

英特爾與美光於 2018 年 1 月 8 日共同宣布,在完成第三代 3D NAND Flash 研發後,雙方將開啟各自的研發之路,雙方目前共同研發的第二代產品為 64 層 3D NAND Flash,預計第三代將可堆疊 96 層,也意味著 96 層以後 3D NAND Flash 的產品研發,英特爾將正式與美光分道揚鑣。儘管這項決議不會對雙方後續的製程提升、產品規劃產生重大影響,但在確定分家之後,雙方將有更大的彈性尋求新的合作夥伴。根據 TrendForce 記憶體存儲研究(DRAMeXchange)調查,英特爾與紫光集團正積極研擬後續合作計畫,雙方可望建立正式銷售合作關係。



英特爾與紫光擬訂銷售合約,紫光存儲藉以耕耘通路銷售競爭力

從英特爾的動向來看,英特爾一直以來高度關注中國市場,在 CPU、modem、記憶體等領域皆積極尋求不同的合作或合資機會。除此之外,英特爾也持續擴大在中國的產能,包含在中國大連地區以 3D NAND 為主的自主產能將持續擴張。近日 Intel 與中國紫光存儲(紫光集團旗下子公司)正積極擬訂長期合約,未來在此合約架構底下,紫光存儲將能夠獲得一定比例來自英特爾的 NAND 晶圓,經自行封裝測試成不同產品後,由紫光存儲的自有渠道進行銷售。

觀察清華紫光集團在快閃記憶體的布局,清華紫光集團主要有長江存儲負責快閃記憶體的開發設計與生產,並由紫光存儲負責銷售。但由於目前長江存儲所設計的 NAND Flash 產品仍為 32 層為主,因此在他們正式開發出 64 層或更高層數的產品以前,紫光存儲為了維持通路銷售的競爭力,將透過協議每個月自英特爾取得快閃記憶體的晶圓成品,進而封裝成包含 UFS、eMMC 以及 SSD 產品。

清華紫光集團透過這樣的方式,除了能夠維持通路競爭力以外,也能夠加強品牌能見度。此外,儘管一開始尚無法切入中高端智慧型手機,或在 client SSD 領域取得優勢,然而上述策略將可望以較低的售價切進包含 Chromebook 或其他消費性電子產品的應用,後續對 NAND Flash 整體價格走勢帶來變數。

(首圖來源:Flickr/Thomas Cloer CC BY 2.0)