美光不畏中廠競爭,貿易戰尚無負面影響

作者 | 發布日期 2018 年 04 月 25 日 9:20 | 分類 國際貿易 , 記憶體 follow us in feedly

中國積極發展記憶體,美光全球製造資深副總裁艾藍(Wayne Allan)認為,記憶體進入門檻高,中國廠商產品難達美光水準;他並表示,美中貿易紛爭目前尚無負面影響。



艾藍 24 日下午在美光(Micron)桃園廠,對媒體說明對記憶體市況的看法,及美光台灣動態隨機存取記憶體(DRAM)卓越中心的進展與未來規劃。

談到今年市況,艾藍表示,今年儲存型快閃記憶體(NAND Flash)位元供給成長將略高於 45%,市場供需趨近平衡;DRAM 市場需求相對強勁,市況健康,今年供給將增加約 20%。

除新加坡晶圓 10 廠新產線動土,艾藍指出,美光日本廣島晶圓 15 廠也將擴充;他說,這些計畫不盡然是為擴產,而是因為技術升級,需要更大空間。

至於美光台灣 DRAM 卓越中心進展,艾藍表示,美光在台灣有兩個前端製造廠區,及一個後段製造廠;其中,桃園廠預計今年底 1y 奈米製程將投產,台中廠 1x 奈米製程已可投產,預計 2019 年下半年提升到 1z 奈米。

艾藍指出,美光台灣 DRAM 卓越中心透過在相同地點進行產品工程設計、先進封裝技術開發、供應鏈及採購,將可加快良率學習週期,成本結構也將更具競爭力,並將有利降低端至端產品生產週期。

美光今年 3 月台灣員工總人數有 6,800 人,艾藍表示,至 2019 年將擴增至 7,650 人。

對於外界關心中國廠商挖角情況,艾藍指出,美光台灣員工過去一年離職率約 10%,不過,在提供的薪資福利與全球工作機會吸引下,離職情況已趨於穩定,近 6 個月離職率約 6%。

艾藍表示,記憶體領域進入門檻高,技術困難,且美光已具 40 年發展歷史,並不斷創新與推進技術,預期中國廠商無論在 DRAM 與 NAND Flash 都很難達到美光的水準。

艾藍指出,美光擁有豐富完整的矽智財(IP),將會盡全力保護 IP,目前少考慮授權中國廠商,美光在中國業務健康。至於美國與中國貿易關係緊張,他說,目前對美光尚無負面影響,但會持續關注後續變化。

(作者:張建中;首圖來源:美光