各位讀者可觀察到,SSD 今年越來越便宜,記憶體也有望逐步下調。美光(Micron)於近日線上財務說明會議,表示下一世代 96 層 3D 堆疊 NAND 快閃記憶體將於今年下半年開始量產出貨,而 1Y 奈米 DRAM 也會在同期量產。
美光近期財報均交出不錯的成績單,但對讀者而言,能出現便宜的產品讓消費者選購似乎更實際一些。近日美光舉辦 2018 第三季會計年度線上財務說明會議,本季營業額達美金 78 億元,相比去年同期提升 40%,相較上一季也增長 6%。
除了優異的財報結果,第三代 3D 堆疊 64 層 NAND 快閃記憶體,預計將於今年第二季量產出貨,成本進一步下調。美光也對第四代 3D 堆疊快閃記憶體產品表示開發進度良好,將繼續使用 Replacement Gate 製程和 CMOS under the array 結構。
▲ 3D 堆疊 96 層快閃記憶體和 1y 奈米動態記憶體,均預計於今年下半年量產出貨。
美光另一項重要產品 DRAM 動態記憶體,1X(18)奈米製程預計下半年將成為量產主力,1Y(14~16)奈米製程也將於下半年量產出貨,更進一步的 1Z(12~14)奈米或 1α 也在開發。中國邀請記憶體生產廠商喝咖啡之後,記憶體售價漲勢受到一定程度的壓抑,對終端消費市場而言,只要未來沒有什麼重大狀況,這態勢或許會延續到下半年。