全球首款!SK 海力士成功研發 96 層 4D NAND,年內量產

作者 | 發布日期 2018 年 11 月 05 日 13:00 | 分類 晶片 , 記憶體 , 零組件 follow us in feedly

韓聯社、東亞日報日文版報導,南韓半導體大廠 SK 海力士(SK Hynix Inc.)於 4 日宣布,已成功研發出較現行 3D 架構 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)進一步進化的「4D NAND Flash」產品。SK 海力士表示,現行大多數廠商都在 3D NAND 上採用 CTF(Charge Trap Flash,電荷儲存式快閃記憶體),而 SK 海力士則是在 CTF 架構上追加「PUC(Peri Under Cell)」技術,研發出全球首款堆疊 96 層的 512Gb 3bit/cell(Triple Level Cel,TLC)4D NAND Flash 產品。



SK 海力士指出,和現行 72 層 512Gb 3D NAND Flash 相比,4D NAND Flash 的晶片尺寸縮小 3 成,每片晶圓的生產性增至 1.5 倍,讀速、寫速分別提升 30%、25%。

SK 海力士幹部表示,「將在今年內量產 4D NAND Flash,且計劃利用最近完工的清州工廠 M15 產線進行正式量產」。

SK 海力士計劃在今年內發表採用 4D NAND Flash、容量為 1TB 的消費性固態硬碟(SSD)產品。

截至台北時間 5 日上午 10 點 00 分為止,SK 海力士大跌 3.03% 至 70,400 韓圜;SK 海力士上週五(2 日)股價飆漲 6.30%,收 72,600 韓圜,創約一個月來(10 月 1 日以來)新高水準。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:SK 海力士

延伸閱讀: