中國記憶體元年夢碎?南韓專家:量產恐延至 2020 年或更晚

作者 | 發布日期 2019 年 01 月 10 日 12:30 | 分類 中國觀察 , 晶片 , 記憶體 follow us in feedly

外界原本估計 2019 年是「中國記憶體元年」,中國三大記憶體廠商都將在今年投產,帶動半導體產業起飛,但是美國科技禁售令和國際半導體市場低迷,重創中國。部分人士預測,中國廠量產時間將被迫延後至明年、甚至更晚。



南韓媒體 BusinessKorea 10 日報導,中國三大記憶體業者中,長江存儲(Yangtze Memory Technology)主要發展 NAND flash、福建晉華(Fujian Jinhua)發展伺服器 DRAM、合肥長鑫(Innotron)主攻行動 DRAM,先前傳出三廠都有望在今年投產,如今情況改變。

南韓半導體業協會(Korea Semiconductor Industry Association)執行董事 Ahn Ki-hyun 9 日表示,企業的真正競爭實力在衰退時顯露,中國晶片廠已因美國管制遭逢困難,產業低潮會讓中國廠再受打擊。就算中國政府不計成本發展半導體,記憶體需求放緩仍會迫使中國廠減緩投資。

Ahn 並說,一旦晶片廠價格戰開打,中國廠技術和成本競爭力較弱,別無選擇只能蒙受巨大虧損。中國廠有朝一日會追上韓廠,但是這天來臨的時間將再往後延。目前以 NAND flash 來說,南韓廠已研發出 90 層 NAND,中國廠只有 32 層產品,而且因良率問題尚未量產。DRAM 方面,中國廠還未準備好發布產品,量產之日仍遙遙無期。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock)