長鑫儲存打頭陣，中國首款自主設計的 DRAM 傳年底量產

中國於 2016 年創立的一家記憶體業者，即將成為第一家量產本土設計記憶體晶片的中國廠商，未來將跟三星電子（Samsung Electronics）、美光（Micron Technology）一較高下。

日經新聞英文版 12 日引述未具名消息人士報導，長鑫儲存技術（Changxin Memory Technologies，簡稱 CXMT，前身為合肥睿力集成電路（Innotron Memory，又稱合肥長鑫））已經重新設計自家的 DRAM 晶片，將美國科技的使用量降到最低。市場普遍認為，長鑫可能是華盛頓下一個瞄準的目標。

消息透露，長鑫還是無法完全免於威脅，因為該公司依舊得仰仗美國設備廠（如 Applied Materials、Lam Research 及 KLA-Tencor）和電子設計自動化（EDA）工具供應商（如 Cadence 及 Synopsys）生產晶片，也得靠 Dow Chemical 提供原料。不過，重新設計過後的 DRAM，可讓長鑫免於美方竊取智慧財產權的控訴。長鑫的 DRAM 科技主要來自 2009 年破產的奇夢達（Qimonda）。

長鑫在合肥斥資 80 億美元打造一座晶片製造廠，預計今年底前投產這些關鍵的記憶體零件，一開始將月產約 10,000 片矽晶圓。消息透露，長鑫今年的資本支出將達 10～15 億美元，已超越全球第 4 大 DRAM 製造商──南亞科去年支出的 6.5 億美元。

市調機構 CINNO 分析師 Sean Yang 指出，跟全球 130 萬片 DRAM 矽晶圓的月產量相較，長鑫的產能雖微不足道，但對於目前完全無法自製 DRAM 的中國來說，卻是一大突破。

（本文由 MoneyDJ新聞授權轉載；首圖來源：shutterstock）