格芯推出 12 奈米 ARM 架構 3D 晶片,稱成熟度優於台積電 7 奈米

作者 | 發布日期 2019 年 08 月 09 日 16:00 | 分類 晶圓 , 晶片 , 處理器 follow us in feedly


晶圓代工大廠格芯(GlobalFoundries)8 日宣布,開發出基於 ARM 架構的 3D 高密度測試晶片,將實現更高水準的性能和功效。由於當前晶片封裝一直是晶片製造中的一個關鍵點,使得在傳統的 2D 封裝技術已經發展到瓶頸之後,半導體製造商們把目光轉向 3D 堆疊技術上。除了看到大量的 3D NAND Flash 快閃記憶體的應用,英特爾和 AMD 也都有提出關於 3D 晶片的研究報告。如今,ARM 和格芯也加入這領域。

格芯指出,新開發出基於 ARM 架構的 3D 高密度測試晶片,是採用格芯的 12 奈米 FinFET 製程所製造,採用 3D 的 ARM 網狀互連技術,允許資料更直接的傳輸到其他內核,極大化的降低延遲性。而這樣的架構,這可以降低資料中心、邊緣運算以及高階消費者應用程式的延遲,並且提升數據的傳輸速度。

格芯強調,新開發出基於 ARM 架構的 3D 高密度測試晶片,可以進一步在每平方公釐上達成多達 100 萬個 3D 的連結,使其具有高度可擴展性,並有望延展 12 奈米製成的壽命。另外,3D 封裝解決方案(F2F)不僅為設計人員提供了異構邏輯和邏輯 / 記憶體整合的途徑,而且可以使用最佳生產節點製造,以達成更低的延遲、更高的頻寬,更小晶片尺寸的目標。

格芯表示,因為當前的 12 奈米製程成熟穩定,因此目前在 3D 空間上開發晶片更加容易,而不必擔心新一代 7 奈米製程所可能帶來的問題。然而,台積電、三星和英特爾能夠在比格芯小得多的節點上開發 3D 晶片,而且也已經相關的報告。而何時推出,就只是時間上的問題。屆時,格芯是否能以較低廉的價格優勢,進一步與其他晶圓生產廠商競爭,就有待後續的觀察。

(首圖來源:格芯)