三星成功開發業界首見 3 奈米 GAA 製程技術，效能增 30%

三星電子（Samsung Electronics）已成功開發出業界首款 3 奈米 GAA 製程技術，副會長李在鎔（Lee Jae-yong）1 月 2 日訪問了華城（Hwaseong）晶片廠的半導體研發中心，討論相關的商業化議題。

BusinessKorea、韓國先驅報（Korea Herald）報導，三星電子新開發的 3 奈米 GAA 製程技術，有望協助公司達成「2030 年半導體願景」（即於 2030 年在系統半導體、記憶體晶片領域成為業界領導者）。GAA 是當前 FinFET 技術的升級版，可讓晶片商進一步縮小微晶片體積。

李在鎔 2 日訪問了華城晶片廠，聽取 3 奈米製程技術的研發簡報，並與裝置解決方案（device solutions，DS）事業群的主管討論次世代半導體策略方針。

跟 5 奈米相較，採用 3 奈米 GAA 製程技術的晶片尺寸小了 35%、電力消耗量降低 50%，但運算效能卻能拉高 30%。三星計劃在 2022 年量產 3 奈米晶片。

三星去年發表了 133 兆韓圜（相當於 1,118.5 億美元）的投資計畫，目標是在 2030 年成為全球頂尖的系統單晶片（SoC）製造商。

（本文由 MoneyDJ新聞授權轉載；首圖來源：shutterstock）