【CES 2020】兩大技術升級,工研院四方合作拼接型 Micro LED 動感亮相

作者 | 發布日期 2020 年 01 月 07 日 8:15 | 分類 光電科技 , 零組件 follow us in feedly


從單片 Micro LED 模組進化到多片拼接動態顯示,工研院與 LED 驅動 IC 廠聚積科技、PCB 廠欣興電子、半導體廠錼創科技,四方合作研發的次世代顯示技術 Micro LED 又再度升級,最新成果在 7 日剛開展的美國消費性電子展(CES 2020)中正式公開。

工研院跟三廠所開發的被動矩陣式驅動「超小間距 Micro LED 顯示模組」,繼 2018 年成功將 Micro LED 陣列晶片直接轉移到 PCB 基板、創下全球首例後,2019 年 6 月進一步達成真正的 RGB 全彩,改善紅光良率並克服弱化結構難題。時隔半年,四方合作結晶再度升級,實現多片模組拼接並以動態顯示呈現。

先前所展出的 Micro LED 模組,主要以 6 cm x 10 cm 單片形式呈現靜態影像;這次在 CES 中則是實現 15 片模組拼接,整體尺寸為 30 cm x 30 cm,達到間距(Pitch)625 μm、解析度 480 x 480 pixel,而且能顯示動態影像,視覺效果比起過去有了顯著提升。

▲ 工研院在 CES 2020 最新公開的拼接型 Micro LED 室內顯示看板應用,以 15 片 6 cm x 10 cm 模組組成

工研院電光所智能應用微系統組副組長方彥翔博士表示,過去半年在四方共同努力下實現兩大技術升級,即良率提高及多片式組裝。由於良率拉升、壞點問題大幅降低,多片模組拼接也得以實現,動態影像呈現效果也更理想。

「現在藍、綠光 Sub-pixel(單一子畫素)點亮良率超過 99.9 %『三個9』,紅光經修補後超過 99 %,我們還在努力往第三個 9 做,」方彥翔指出,RGB 三色的巨量轉移良率幾乎可達百分之百,但點亮良率才是更為關鍵,這表示 Micro LED 必須在轉移下壓到基板上時不破片,通電後又能實際點亮才算成功。

不僅如此,LED 晶圓所需兼備的三項數值標準,包括波長(Dominant Wavelength,Wd)、驅動電壓(Forward Voltage,Vf)和反向漏電(流)(Reverse Leakage (Current),Ir) ,整體良率也有持續改善拉升,藍綠光整體良率可提高到九成,紅光略低,但已有大幅提升。

工研院與三廠合力開發的超小間距 Micro LED 顯示模組,目前進度已達階段性目標,今年會力拚試量產,並鎖定室內顯示看板(indoor signage)應用推進。


▲ 動態顯示實測

方彥翔提到,工研院下階段 Micro LED 技術會朝電競、擴增實境(AR)與混合實境(MR)方向發展,將分別採用玻璃基板和矽基板研發不同應用產品,看好 Micro LED 技術將比 OLED、LCD 更能發揮優勢。

除了持續開發 Micro LED 顯示應用,工研院今年也將以整合感測器為發展方向,朝微組裝(Micro assembly)技術應用開發與驗證,持續為 Micro LED 技術開創更多可能。

(首圖、圖片、影片來源:《科技新報》攝)

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