本週舉行的 2023 年 IEEE 國際電子元件會議(IEDM),比利時微電子研究中心(imec)發表 8 吋矽晶圓製造的氮化鋁(AlN)氮化鎵(GaN)金屬──絕緣體──半導體(MIS)高電子遷移率電晶體(HEMT),能在 28GHz 操作頻率下展現高輸出功率及能源效率。
imec 展示高效能矽基氮化鎵,鎖定 5G 基地台及行動裝置應用 |
作者 Atkinson|發布日期 2023 年 12 月 15 日 7:10 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 晶圓 |