Category Archives: 晶片

高通新推 Snapdragon 7+ Gen 2 搶攻中階市場,本月終端產品問世

作者 |發布日期 2023 年 03 月 21 日 8:50 | 分類 半導體 , 處理器

行動處理器大廠高通 (Qualcomm) 宣布推出全新 Snapdragon 7+ Gen 2 行動平台,為 Snapdragon 7 系列帶來全新頂級體驗。高通指出,Snapdragon 7+ Gen 2 提供出色的 CPU 與 GPU 效能,支援順暢、持久的遊戲體驗,動態低光源攝影和 4K HDR 錄影,AI 增強體驗,以及高速 5G 與 Wi-Fi 連接能力。

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陳沛銘:急單湧入挺華邦電第二季營運,利用率也將逐季提升

作者 |發布日期 2023 年 03 月 20 日 19:30 | 分類 半導體 , 晶片 , 記憶體

記憶體大廠華邦電總經理陳沛銘表示,現階段記憶體的市況,NOR Flash 市況相對平穩,而 DRAM 的價格在 2023 年第一季可能下跌雙位數百分比。不過,價格跌勢可望在第一季觸底,使第一季成為華邦電的谷底。預期第二季在 DRAM 價格跌勢止穩之後,價格有機會與第一季持平的情況下,加上當前有回補庫存的急單湧入,華邦電第二季的營運表現有望大幅調升。

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李培瑛:DRAM 跌價預計第三季回穩,支持漲電價但不要一次漲太多

作者 |發布日期 2023 年 03 月 20 日 18:45 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 晶片

記憶體大廠南亞科總經理李培瑛表示,就 DRAM 產業來說,2023年上半年仍非常辛苦,然後到下半年有機會好一點,但是好的程度會到多少,就還必須要看外在因素的情況來決定。另外,針對近期政府調整電價的問題,李培瑛強調,支持政府電價上漲得政策,畢竟國際能源大漲的因素已經造成台電虧損。不過,也漲幅希望不要漲一次太多,「就算要砍,刀子砍下去的力氣也要小一點」。

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SK 海力士展示 300 層堆疊 3D NAND Flash 原型,最快 2024 年問世

作者 |發布日期 2023 年 03 月 20 日 13:20 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 晶片

日前第 70 屆 IEEE 國際固態電路會議 (ISSCC),南韓記憶體大廠 SK 海力士展示最新 300 層堆疊第八代 3D NAND Flash 快閃記憶體原型,令與會者大吃一驚。SK 海力士發表會標題為「高密度記憶體和高速介面」,描述如何提高固態硬碟性能,同時降低單 TB 成本。新 3D NAND Flash 快閃記憶體預定兩年內上市,有望打破紀錄。

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傳英特爾取消 Meteor Lake-S,改 Arrow Lake-S 提早上場搶優勢

作者 |發布日期 2023 年 03 月 20 日 11:50 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 處理器

外媒報導,英特爾可能取消桌上型 Meteor Lake-S 架構處理器,因 6P+16E 核心架構設計是 Raptor Lake-S 架構縮減版,桌上型電腦市場可能沒有競爭力,卻可能適用低功耗行動平台。英特爾取消 Meteor Lake-S 架構處理器後,將由 Arrow Lake-S 架構處理器接替。

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高通陳若文:2024 年台灣採購金額上看 3 千億元,且是台積電美國首批 4 奈米客戶

作者 |發布日期 2023 年 03 月 17 日 15:35 | 分類 半導體 , 晶片 , 處理器

行動通訊大廠高通 (Qualcomm) 全球資深副總裁暨營運長陳若文表示,高通 2022 年台灣採購金額達新台幣 2,400 億元,2024 年達 3,000 億元。2023 年採購金額因通路還在調整庫存,必須調整完庫存才會有大量採購,預計至少與 2022 年金額相當。

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張忠謀支持美制中政策,台供應鏈順勢而為

作者 |發布日期 2023 年 03 月 17 日 13:45 | 分類 半導體 , 晶圓 , 晶片

美中貿易戰戰火燎原,至今絲毫沒有歇息跡象,台積電創辦人張忠謀16日公開表示支持美國政策,讓中國半導體發展腳步緩慢下來,同時也點出半導體製造轉移到美國,將帶來成本提高的隱憂。此番言論被外界視為間接表態台積電的立場,亦牽動台系供應鏈接下來的布局方針。 繼續閱讀..

高通海外唯一自有新竹大樓落成,加強與台灣生態系連結合作

作者 |發布日期 2023 年 03 月 17 日 11:20 | 分類 IC 設計 , 公司治理 , 半導體

行動通訊大廠高通 (Qualcomm) 於 17 日宣布,座落於新竹科學園區之內、專為半導體與供應鏈所設置、規模最大及最先進工程測試中心之一的高通新竹大樓正式落成。台灣高通表示,2023 年正值高通在台深耕二十週年,透過高通新竹大樓的啟用,適以展現高通持續強化與台灣夥伴以創新先進科技,加連社會與經濟轉型發展、攜手開拓新局的決心。

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OBC 及轉換器成為最佳突破點!台廠成為帶動車用 GaN 產能關鍵推手

作者 |發布日期 2023 年 03 月 17 日 10:43 | 分類 晶圓 , 晶片 , 汽車科技

近年火紅的第三類、「寬能隙」(WBG)半導體,擁有比第一、第二類「低能隙」半導體更耐高溫、高壓及高頻的特性,因而更能滿足 5G 通訊、純電動車(BEV)、油電混合車(HEV)、消費性充電頭及資料中心等高功率、高電能轉換效率、低能耗、高速運算及高速充電等新興應用的需求。 繼續閱讀..