Tag Archives: 美光

2024 全年 HBM 供給位元年增高達 260%,產能占 DRAM 產業 14%

作者 |發布日期 2024 年 03 月 18 日 14:16 | 分類 半導體 , 晶片 , 記憶體

HBM 售價高昂、獲利高,造就廣大資本支出投資。TrendForce 資深研究副總吳雅婷預估,截至 2024 年底,DRAM 產業規劃生產 HBM TSV 產能約 250K/m,占總 DRAM 產能約 1,800K/m 的 14%,供給位元年成長約 260%。2023 年 HBM 產值占比之於 DRAM 整體產業約 8.4%,至今年底擴大至 20.1%。 繼續閱讀..

HBM3 原由 SK 海力士獨供,三星獲 AMD 驗證通過將急起直追

作者 |發布日期 2024 年 03 月 13 日 14:53 | 分類 半導體 , 晶片 , 記憶體

TrendForce 資深研究副總吳雅婷表示,今年 HBM(High Bandwidth Memory)市場主流為 HBM3,NVIDIA 新世代含 B100 或 H200 規格為最新 HBM3e 產品。由於 AI 需求高漲,輝達(NVIDIA)及其他品牌 GPU 或 ASIC 供應緊俏,除了 CoWoS 是供應瓶頸,HBM 亦同,主要是 HBM 生產週期較 DDR5 長,投片到產出與封裝完成需兩季以上。 繼續閱讀..

2023 年 Q4 NAND Flash 產業營收季增 24.5%,今年 Q1 續增二成

作者 |發布日期 2024 年 03 月 06 日 15:01 | 分類 半導體 , 記憶體 , 零組件

TrendForce 研究顯示,2023 年第四季 NAND Flash 產業營收達 114.9 億美元,季增 24.5%。主要受惠於終端需求因年終促銷檔期而回穩,加上零組件市場因追價而擴大訂單動能,位元出貨較去年同期旺盛。同時企業方面持續釋出 2024 年需求表現優於 2023 年看法,且啟動策略備貨動作帶動。 繼續閱讀..

HBM 市場升溫,中國長鑫存儲正購買設備計劃投入生產

作者 |發布日期 2024 年 02 月 05 日 7:00 | 分類 IC 設計 , 中國觀察 , 半導體

近年來,高頻寬記憶體的市場需求急劇上升,尤其是隨著人工智慧(AI)熱潮的到來,讓這一趨勢愈加明顯。三星、SK 海力士和美光是 HBM 市場的三大供應商,目前都在開發新產品,特別是 HBM4 等下一代技術受到了業界的極大關注,其中 SK 海力士已宣布經在 2026 年開始生產 HBM4 產品,搶攻未來市場的主導地位。

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美眾議院收緊中國出口審查,邀半導體大廠高層舉行聽證會

作者 |發布日期 2024 年 01 月 15 日 7:15 | 分類 半導體 , 國際貿易 , 國際金融

英國金融時報 12 日報導,美國眾議院「美中戰略競爭特別委員會」 加強美國晶片製造商的中國利益審查。近期委員會致函美國三大晶片製造商,要求英特爾(Intel)、輝達(Nvidia)、美光(Micron)等執行長前往國會舉行聽證會。

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市場需求持續,傳三星與美光第一季調漲 DRAM 報價 15%~20%

作者 |發布日期 2024 年 01 月 03 日 9:45 | 分類 半導體 , 國際觀察 , 晶片

先前韓國媒體報導,全球記憶體大廠持續減產趨勢確立,加上市場需求因人工智慧與高效能運算應用提升的情況下,記憶體價格持續看漲,也使產業復甦走勢受人期待。韓國兩大記憶體廠三星與 SK 海力士分別對市況增加設備資支出與產能,牽動整體市場變化。如今,市場再度傳出,DRAM 價格漲勢再起,包括三星與美商美光都規劃 2024 年第一季的漲幅將達到 15%~20%。

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