Tag Archives: 3D-NAND Flash

期望拉大與競爭對手差距，三星積極研發 160 層堆疊 3D NAND Flash
作者 |發布日期 2020 年 04 月 17 日 15:55 |
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分類 Samsung , 會員專區 , 記憶體

就在日前，中國記憶體廠長江存儲正式發表 128 層 TLC/QLC NAND Flash 快閃記憶體之後，目前市場上的記憶體龍頭──南韓三星也正緊鑼密鼓的研發下一代 3D NAND Flash 快閃記憶體，預計其對疊層數可高達 160 層，期望藉以拉開與其他競爭對手的領先差距。

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武漢兩大記憶體廠產能略受疫情影響，但不影響市場供需
作者 |發布日期 2020 年 02 月 21 日 9:30 |
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分類 中國觀察 , 會員專區 , 記憶體

根據中國媒體的報導，在中國武漢肺炎的疫情中，疫情的重災區武漢市其中的兩大記憶體廠商長江存儲、武漢新芯，在當前當地封城管理的狀態下，期間雖然並未中斷生產，但是在人員復工困難的情況下，產能方面預計將會受影響，其中武漢新芯方面已經下調了 2020 年第 1 季的產能，只是目前兩家記憶體廠的產量不高，在全球市場占比仍小，因此預計不會造成影響。

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武漢肺炎引發記憶體轉單？台經院：規模小、屬短期現象
作者 |發布日期 2020 年 01 月 07 日 7:30 |
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分類 中國觀察 , 記憶體 , 零組件

中國武漢爆發不明肺炎疫情，因當地為記憶體、面板重鎮之一，外界預期台廠將有轉單效應。不過，台經院專家認為，記憶體雖會有轉單效應，但因中國的量產規模小，效應不會那麼大，且應屬短期現象；至於面板方面，則要看疫情擴散程度，就目前而言，疫情停留在單一地區，應可由中國其他地區做產能調度支援，台廠難有轉單。 繼續閱讀..

東芝記憶體傳砸 3 千億日圓，增產 3D NAND
作者 |發布日期 2019 年 10 月 01 日 8:30 |
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分類 國際貿易 , 記憶體 , 財經

日刊工業新聞 9 月 30 日報導，全球第二大 NAND 型快閃記憶體（Flash Memory）廠商「東芝記憶體 Holdings」（Toshiba Memory Holdings）將在旗下四日市工廠興建最先端的 3D NAND Flash 新廠房，預估新廠房將在 2020 年 12 月動工、2022 年夏天完工，總投資額預估達 3,000 億日圓，目標是藉此在先端領域超越南韓三星電子。 繼續閱讀..

格芯推出 12 奈米 ARM 架構 3D 晶片，稱成熟度優於台積電 7 奈米
作者 |發布日期 2019 年 08 月 09 日 16:00 |
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分類 晶圓 , 晶片 , 會員專區

晶圓代工大廠格芯（GlobalFoundries）8 日宣布，開發出基於 ARM 架構的 3D 高密度測試晶片，將實現更高水準的性能和功效。由於當前晶片封裝一直是晶片製造中的一個關鍵點，使得在傳統的 2D 封裝技術已經發展到瓶頸之後，半導體製造商們把目光轉向 3D 堆疊技術上。除了看到大量的 3D NAND Flash 快閃記憶體的應用，英特爾和 AMD 也都有提出關於 3D 晶片的研究報告。如今，ARM 和格芯也加入這領域。

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英特爾不打算擴產 Nand Flash，但計劃遷移 3D XPoint 產線至中國
作者 |發布日期 2019 年 05 月 14 日 14:15 |
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分類 國際貿易 , 會員專區 , 記憶體

根據國外科技媒體《Anandtechi》報導，由於 NAND Flash 市場當前供過於求的情況，造成市場價格不斷下跌。因此英特爾（intel）決定 2019 年降低 NAND Flash 的產量。據英特爾執行長 Bob Swan 之前投資公告表示，英特爾未來短時間不會增加 NAND Flash 產能。因與記憶體大廠美光（Micron）拆夥，英特爾決定把 3D XPoint / Optane 等 Flash 生產線移至中國。

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長江存儲宣布 2019 年將量產 64 層堆疊 NAND Flash，恐衝擊產業生態
作者 |發布日期 2019 年 04 月 15 日 17:40 |
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分類 中國觀察 , 國際貿易 , 手機

紫光集團旗下的長江存儲是中國三大記憶體陣營中主要發展 NAND Flash 快閃記憶體的公司，2018 年雖然已經小規模試產了 32 層堆疊的 3D NAND Flash，不過長江存儲並沒有大規模生產 32 層堆疊的 3D NAND Flash。根據外媒報導指出，該公司的技術長程衛華在接受採訪時表示，預計 2019 年下半年長江存儲將量產 64 層堆疊的 3D NAND Flash，而且目前計畫進展順利。

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旺季不旺，第三季 NAND Flash 品牌商營收季增幅僅 4.4%
作者 |發布日期 2018 年 11 月 19 日 14:45 |
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分類 晶片 , 記憶體 , 零組件

根據 TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）最新報告指出，隨著 64 / 72 層 3D NAND 生產良率漸趨成熟及供給持續增加，第三季 NAND Flash 供給穩定成長，但需求面受中美貿易戰影響，加上英特爾 CPU 缺貨、蘋果新機銷售不如預期等因素，導致旺季不旺，自年初以來的供給過剩仍難以消弭，NAND Flash 各類產品合約價仍走跌，第三季平均價格跌幅達 10-15%。 繼續閱讀..

全球首款！SK 海力士成功研發 96 層 4D NAND，年內量產
作者 |發布日期 2018 年 11 月 05 日 13:00 |
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分類 晶片 , 記憶體 , 零組件

韓聯社、東亞日報日文版報導，南韓半導體大廠 SK 海力士（SK Hynix Inc.）於 4 日宣布，已成功研發出較現行 3D 架構 NAND 型快閃記憶體（Flash Memory）進一步進化的「4D NAND Flash」產品。SK 海力士表示，現行大多數廠商都在 3D NAND 上採用 CTF（Charge Trap Flash，電荷儲存式快閃記憶體），而 SK 海力士則是在 CTF 架構上追加「PUC（Peri Under Cell）」技術，研發出全球首款堆疊 96 層的 512Gb 3bit/cell（Triple Level Cel，TLC）4D NAND Flash 產品。 繼續閱讀..

英特爾中國大連第 2 期 NAND Flash 工廠投產，將生產 96 層堆疊產品
作者 |發布日期 2018 年 09 月 25 日 15:00 |
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分類 國際貿易 , 會員專區 , 處理器

處理器大廠英特爾（Intel）在 2015 年宣布，其總投資 55 億美元的中國大連的 Fab 68 晶圓廠第 2 期工程改造為 NAND Flash 快閃記憶體工廠之後，現在宣布已經正式投產。未來，主要將生產 96 層堆疊的 3D NAND Flash 快閃記憶體，積極追趕競爭對手的市占率。

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