美光、英特爾在 NAND Flash 上分手主因，雙方技術發展態度不一致 |
作者
Atkinson|發布日期
2018 年 05 月 28 日 17:00 |
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隨著近年來 NAND Flash 市場供不應求，價格不斷高漲的情況下，使得投資者的眼光眼開始關注到 NAND Flash 製造廠的身上。2018 年 1 月份，美系的 NAND Flash 廠商英特爾及美光兩家公司宣布，未來再開發出第 3 代 96 層堆疊的 3D NAMD Flash 後將和平分手。至於兩家公司的分手原因，過去一直沒有明確透露，現在才有消息指出，是因為雙方對未來 NAND Flash 的技術發展態度不相同所導致，美光要轉換到到 CTP 技術陣營，而英特爾則是將堅持 Floating Gate 技術陣營。
記憶體設備商東京威力獲利飆新高，蓋 2 座廠衝產能 |
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作者
MoneyDJ|發布日期
2018 年 04 月 26 日 9:15 |
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半導體（晶片）設備巨擘東京威力科創（Tokyo Electron Limited）25 日於日股盤後公布上年度（2017 年度、2017 年 4 月至 2018 年 3 月）財報：因數據中心用記憶體需求大增，提振晶片製造設備銷售強勁，加上平面顯示器（FPD）製造設備銷售也大增，激勵合併營收年增 41.4% 至 1 兆 1,307.28 億日圓，合併營益暴增 80.6% 至歷史新高的 2,811.72 億日圓，合併純益也暴增 77.4% 至歷史新高的 2,043.71 億日圓。 繼續閱讀..
【圖表看時事】中國記憶體發展，三大勢力 DRAM、NAND 拚量產 |
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作者
TechNews|發布日期
2017 年 11 月 16 日 9:00 |
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中國半導體發展風起雲湧，購併、建廠消息不斷，在市場、國安等考量下，記憶體更是中國重點發展項目，成為多方人馬競逐的主戰場。中國記憶體後進廠商 2018 年開始產能逐步開出，目前狀況到底如何？研究機構集邦科技 TrendForce 做了圖表簡單解析。
三星 2017 年狂砸台幣 7,800 億元資本支出，為英特爾與台積電總和 |
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作者
Atkinson|發布日期
2017 年 11 月 15 日 11:34 |
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隨著市場競爭加劇，半導體競爭從產品、技術，延伸到資本支出。根據市場調查機構 IC Insights 最新調查報告顯示，2017 年全球半導體產業資本支出將達 908 億美元（約新台幣 2.74 兆元），較 2016 年成長 35% 。其中，南韓半導體大廠三星的資本支出翻倍成長，由 2016 年 113 億美元（約新台幣 3,403 億元），成長至 2017 年的 260 億美元（約新台幣 7,834 億元），為英特爾及台積電全年資本支出的總和。
隨新手機內建儲存容量躍升，2017 年 NAND Flash 缺貨不易紓解 |
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作者
Atkinson|發布日期
2017 年 05 月 22 日 11:20 |
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隨著日前記憶體控制晶片大廠群聯董事長潘健成對媒體表示，目前 NAND Flash 晶片需求相當強勁，加上主要廠商大多表示，未來 3 年產能仍無法滿足市場需求的情況下，預期 2017 年第 3 季 NAND Flash 會比 2017 年第 1 季還缺貨，可能會是史上最缺貨一季。外資也表示，因為未來新款手機內建儲存容量不斷提高，2017 年 NAND Flash 缺貨的情況將不易緩解。
