三星先進技術研究院（Samsung Advanced Institute of Technology，簡稱 SAIT）研發出新的半導體材料──「非晶質氮化硼」（amorphous boron nitride，簡稱 a-BN），有望讓次世代半導體加速現身。
三星開發新材料 a-BN，次世代半導體有望加速現身 |
作者
MoneyDJ|發布日期
2020 年 07 月 06 日 16:00 |
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