Tag Archives: EUV

SK 海力士中國無錫廠提升製程擴產,卡關美國禁令藉運輸解決

作者 |發布日期 2024 年 01 月 16 日 11:15 | 分類 半導體 , 記憶體 , 零組件

隨著記憶體市場的復甦,韓國記憶體大廠 SK 海力士也為了進行擴產做準備,目前正在藉由先前美國給予的出口限制豁免,開始對中國無錫工廠進行製程升級的動作。另外,也進一步以運輸的方式,繞過至今美國仍對中國堅守的 EUV 極紫外光曝光機出口禁令。

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大摩看好台積電 2024 年營收表現,力挺台積電 688 元目標價

作者 |發布日期 2024 年 01 月 15 日 10:10 | 分類 半導體 , 晶圓 , 晶片

外資摩根士丹利最新研究報告指出,即將在本週召開法人說明會的晶圓代工龍頭台積電,預計在 2024 年將是業績成長強勁的一年。其中,2024 年營收年增接近 20%,全年毛利率將略低於 53%,並且資本支出將維持 300 億美元,較 2023 年持平的情況下,看好台積電的業績發展,給予「優於大盤」的投資評等,目標價來到每股新台幣 688 元。

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台積電法說前夕,傳 ASML 高層將來台拜訪

作者 |發布日期 2024 年 01 月 08 日 13:30 | 分類 半導體 , 國際貿易 , 晶圓

晶圓代工龍頭台積電 18 日法說會召開在即,業界傳出,半導體微影設備製造龍頭艾司摩爾(ASML)現任商務長、下一任執行長兼總裁富凱(Christophe Fouquet)近日將率高層來台拜訪台積電與供應商,目的在於討論 EUV(極紫外光)設備供應與發展、下世代機台相關規劃,凸顯雙方在先進製程的未來將持續緊密合作。 繼續閱讀..

英特爾拿下首套 High-NA EUV,威脅台積電龍頭地位?

作者 |發布日期 2024 年 01 月 08 日 7:30 | 分類 IC 設計 , 公司治理 , 半導體

英特爾 (Intel) 近日宣布,已經接收市場首套具有 0.55 數值孔徑(High-NA)的 ASML 極紫外(EUV)曝光機,將協助其在未來幾年大成更先進的晶片製程技術。與之形成對比的是,台積電當前則視似乎按兵不動,並不急於加入這場下一代曝光技術的競賽。市場分析師預計,台積電可能要到 1.4 奈米 (A14),或是更晚的 2030 年之後才會採用這項技術。

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2023 年全球光阻劑市場解析

作者 |發布日期 2023 年 12 月 27 日 7:30 | 分類 半導體 , 晶圓 , 會員專區

2022 年全球經濟呈現較大波動,受地緣政治衝突不斷,宏觀經濟下行壓力增大等影響,消費性電子產品需求出現放緩跡象,半導體產業進入下行週期。持續至今年上半年,宏觀經濟下行壓力仍未改善,受此影響消費性電子需求依舊疲軟,半導體產業呈現去庫存、產線稼動率下行等特徵,今年半導體市場規模預定出現負增長。 繼續閱讀..

Canon:奈米壓印降低先進製程生產成本,拉近與 ASML 差距

作者 |發布日期 2023 年 12 月 26 日 7:10 | 分類 半導體 , 晶圓 , 晶片

全球曝光機生產大廠之一日本佳能 (Canon),10 月 13 日宣布推出 FPA-1200NZ2C 奈米壓印 (NIL) 半導體設備後,日前執行長御手洗富士夫表示,新奈米壓印技術為小型半導體商生產先進晶片開闢新道路,不讓先進晶片技術由大型半導體商獨享。

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英特爾採購六套 High-NA EUV 曝光機給 2 奈米製程用

作者 |發布日期 2023 年 12 月 19 日 18:00 | 分類 半導體 , 晶圓 , 晶片

韓國三星日前與荷蘭半導體設備商 ASML 簽署了價值 1 兆韓圜(約 7.55 億美元)的協議,兩家公司將在韓國投資建造半導體晶片研究工廠,並將在該研究工廠開發新一代 EUV 半導體製造技術。三星電子副董事長兼設備解決方案部門負責人 Kyung Kye-hyun 強調,兩家公司的最新協議將幫助其獲得下一代 High-NA EUV 曝光機。

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ASML 與三星簽署備忘錄,韓國建立研究中心

作者 |發布日期 2023 年 12 月 13 日 7:30 | 分類 半導體 , 晶圓 , 材料、設備

半導體曝光機大廠 ASML 宣布,與韓國三星電子簽署備忘錄,共同投資 1 兆韓圜(約新台幣 230 億元)建立研究中心,並用下一代極紫外(EUV)曝光機研究先進半導體製程技術。ASML 也宣布與 SK 海力士簽署 ESG 備忘錄,雙方在環境、社會和公司治理專案合作。

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IBM、Micron、應材、東京威力科創攜手紐約州,投資百億美元設 High-NA EUV 製程研發中心

作者 |發布日期 2023 年 12 月 13 日 7:00 | 分類 半導體 , 晶圓 , 晶片

日前,美國紐約州長 Kathy Hochul 宣佈,與包括 IBM、美光、應用材料、東京威力科創等半導體大廠達成協議,預計將投資 100 億美元 (約新台幣 3,100 億元) 在紐約州 Albany NanoTech Complex 興建下一代 High-NA EUV 半導體製程研發中心。

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