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IBM 發表突破性新技術「PCM」,比快閃記憶體快 70 倍、寫入次數多近 1 千萬次

作者 |發布日期 2016 年 05 月 20 日 8:31 | 分類 晶片 , 物聯網 , 零組件

近年因行動裝置和物聯網快速成長,如何處理龐大資料也成了背後關鍵技術。IBM 研發出比快閃記憶體更快、比 DRAM 更可靠的光學儲存科技,有望成為新一代的資料處理科技,電腦、手機、物聯網和雲端人工智慧產業皆可受惠。 繼續閱讀..

HGST 常駐記憶技術現身 2015 快閃記憶體高峰會

作者 |發布日期 2015 年 09 月 15 日 11:01 | 分類 市場動態 , 零組件

Western Digital 旗下公司 HGST 去年展出創紀錄每秒 300 萬 I/O 的相變化記憶體(PCM) ,今年將繼續應用此技術並與 Mellanox Technologies 合作,展示創新性的記憶體內運算叢集架構。該架構將搭載 PCM 技術、具備 RDMA 功能,效能接近 DRAM,但總體擁有成本更低且擴充能力更佳。 繼續閱讀..