旺宏決議投入先進製程,續與 IBM 合作研發 PCM 作者 黃 敬哲|發布日期 2018 年 12 月 26 日 9:17 | 分類 會員專區 , 記憶體 , 零組件 | edit 旺宏電子董事會決議通過明年新增資本支出新台幣 8.65 億元,並繼續與 IBM 合作開發相變化記憶體。 繼續閱讀..
IBM 發表突破性新技術「PCM」,比快閃記憶體快 70 倍、寫入次數多近 1 千萬次 作者 數位時代|發布日期 2016 年 05 月 20 日 8:31 | 分類 晶片 , 物聯網 , 零組件 | edit 近年因行動裝置和物聯網快速成長,如何處理龐大資料也成了背後關鍵技術。IBM 研發出比快閃記憶體更快、比 DRAM 更可靠的光學儲存科技,有望成為新一代的資料處理科技,電腦、手機、物聯網和雲端人工智慧產業皆可受惠。 繼續閱讀..
記憶體血戰才揭開序幕?三星庫存塞爆創同季歷史新高 作者 MoneyDJ|發布日期 2016 年 05 月 18 日 18:10 | 分類 Samsung , 晶片 , 零組件 | edit 先前外資痛批三星電子不顧同行道義,在記憶體業趕盡殺絕。如今背後原因似乎揭曉,韓媒指出,今年第一季三星電子和 SK 海力士(SK Hynix)的半導體庫存雙雙創下新高,滿坑滿谷的記憶體賣不動,三星或許因此殺紅了眼。 繼續閱讀..
HGST 常駐記憶技術現身 2015 快閃記憶體高峰會 作者 TechNews|發布日期 2015 年 09 月 15 日 11:01 | 分類 市場動態 , 零組件 | edit Western Digital 旗下公司 HGST 去年展出創紀錄每秒 300 萬 I/O 的相變化記憶體(PCM) ,今年將繼續應用此技術並與 Mellanox Technologies 合作,展示創新性的記憶體內運算叢集架構。該架構將搭載 PCM 技術、具備 RDMA 功能,效能接近 DRAM,但總體擁有成本更低且擴充能力更佳。 繼續閱讀..
下代記憶體問世有望?南韓新技術破解 ReRAM 研發難題 作者 MoneyDJ|發布日期 2014 年 05 月 27 日 8:17 | 分類 尖端科技 , 晶片 , 零組件 | edit 被視為下一代非揮發性記憶體的「可變電阻式記憶體」(Resistive Random Access Memory、ReRAM)發展出現突破,韓國研究人員利用單層石墨烯(graphene)電極,研發出電阻轉換測量科技,或許有望解決 ReRAM 量產的最大障礙。 繼續閱讀..