SiC-MOSFET 在耐高壓高溫、開關頻率等新能源車重視的關鍵參數表現皆優於 Si-IGBT,晶片面積也僅 Si-IGBT 20%,組成模組與電控零件後可大幅降低體積和重量,即使加上提早「強推」SiC-MOSFET 裝車的高成本代價,也比靠增加電池數量提升續航力的成本效益表現更佳。電控零件體積縮小也形成許多附加價值,如節省空間、更高整合度系統設計的可能、提高生產效率等。 繼續閱讀..
新能源車 SiC-MOSFET 發展分析 |
作者 TrendForce 集邦科技|發布日期 2023 年 06 月 14 日 7:30 | 分類 晶片 , 材料、設備 , 汽車科技 |