三星電子宣布,開發出業界首見的 12 層 3D 矽穿孔技術(Through-Silicon Via,簡稱 TSV)。DRAM 晶片的堆疊層數能從 8 層增至 12 層,不久後將量產 24GB 的高頻寬記憶體(HBM)。
DRAM 新發展!三星開發 12 層 3D 封裝,將推 24GB HBM |
作者 MoneyDJ|發布日期 2019 年 10 月 09 日 16:45 | 分類 Samsung , 晶片 , 記憶體 |
三星搶頭香!量產 20 奈米 DDR3 行動 DRAM、省電 10% |
作者 MoneyDJ|發布日期 2014 年 09 月 18 日 15:30 | 分類 晶片 | edit |
三星電子(Samsung Electronics)18 日宣布,開始量產業界首見的 6Gb 20 奈米製程 LPDDR3 行動 DRAM。該公司表示,低耗能產品可讓高畫質的大螢幕行動裝置,電池續航力更長、運算速度更快。 繼續閱讀..