韓媒：記憶體微縮 14 奈米為極限、3D NAND 成新寵

記憶體晶片的微縮製程面臨極限，BusinessKorea 報導，預料 3D 垂直堆疊技術將成兵家必爭之地，三星電子（Samsung Electronics）、SK 海力士（SK Hynix）、東芝（Toshiba）等紛紛投入研發。

BusinessKorea 16 日報導，三星電子最近完成 14.3 奈米 NAND flash 的研發，將微縮製程目標改為 14.2 。2000 年中期以來，NAND flash 製程從 40 奈米一路降至 16 奈米，業界專家認為 14 奈米將是微縮製程極限，因為 10 奈米 NAND flash 技術上雖然可行，可是所需的設備投資過高，就算生產也難以獲利。

微縮製程遭遇瓶頸，業者因此另闢蹊徑，改採 3D 垂直架構。報導稱，其中三星電子技術最為先進，今年 5 月推出業界首見 V-NAND 技術堆疊 32 層，高於前代的 24 層。部分專家預估，三星可能已經完成 48 層堆疊的原型技術。

東芝也增加 3D NAND 投資，計畫不久後開始生產 40-70 層的 V NAND 晶片。SK 海力士也將在今年量產 3D NAND。業界人士估計，NAND flash 堆疊層可在幾年內衝上 100 層。

全球第 2 大 NAND 型快閃記憶體（Flash Memory）廠商東芝 9 月 9 日為旗下 NAND Flash 生產據點「四日市工廠」第 5 廠房（Fab 5）的擴建工程（第 2 期工程）舉行完工儀式，此次完工的新廠房已自 9 月開始量產採用最先端 15nm 製程技術的 NAND Flash 產品，並預計自 9 月底開始進行出貨；東芝已於今年 4 月小量生產 15nm NAND Flash，故上述新廠房加入生產行列後，也宣告東芝將正式大規模量產（開始增產）15nm 產品。

三星電子（Samsung Electronics Co.）5 月 9 日宣布，中國西安記憶體晶片製造廠正式啟用、旗下先進 NAND 型快閃記憶體「3D V-NAND」將在該廠投產。三星並且表示，西安封裝測試廠預計在今年底以前也將會完工。3D V-NAND 將應用於固態硬碟（SSD）等消費、企業應用產品。

美國三星記憶體部門行銷副總 Jim Elliott 去年 10 月透過官網部落格發表專文指出，根據 IHS iSuppli 的預估，2017 年 3D NAND 技術將佔整體快閃記憶體出貨量的 65.7%。IHS 並且預估，全球 NAND flash 記憶體市場規模將自 2013 年的 236 億美元擴增至 2016 年底的 308 億美元、平均複合年增率達 11%。

傳統 NAND 把電晶體依照 X、Y 軸水平排放，但是縮小電晶體體積有其極限，3D NAND 或 V-NAND 加入 Z 軸，可以垂直排放，意味業者不只能在平面放置電晶體，還可以層層堆疊，有助降低生產成本。