加入 RRAM 開發戰線,Sony 與 Micron 共同發表新成果

作者 | 發布日期 2014 年 12 月 24 日 8:35 | 分類 晶片 , 會員專區 Telegram share ! follow us in feedly


新世代的 NVRAM 開發逐漸進入火熱階段。

繼 Crossbar 在先前 IEDM 2014(IEEE International Electron Devices Meeting)發表了他們在電阻式記憶體(Resistive RAM, RRAM、ReRAM)的最新成果之後,Sony 也與合作夥伴 Micron 發表了自 2011 年首度公開 RRAM 試作品後的最新試作品結果。

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