新世代的 NVRAM 開發逐漸進入火熱階段。
繼 Crossbar 在先前 IEDM 2014（IEEE International Electron Devices Meeting）發表了他們在電阻式記憶體（Resistive RAM, RRAM、ReRAM）的最新成果之後，Sony 也與合作夥伴 Micron 發表了自 2011 年首度公開 RRAM 試作品後的最新試作品結果。
本篇文章將帶你了解 :加入 RRAM 開發戰線，Sony 與 Micron 共同發表新成果
