台積電 8 日宣布已與美國簽署一份不具有約束力的初步備忘錄（PMT），台積電亞利桑那州廠（TSMC Arizona）將獲得最高 66 億美元的直接補助，目前三間晶圓代工廠已經確定獲得補助，僅三星尚未得知具體金額，預期下週宣布有關三星的補助方案。
接著，本文將簡單整理美國政府目前發放的所有補助，讓讀者一次掌握。
英國航太系統公司（BAE Systems）
首間獲得美國政府補助的公司是英國航太系統公司（BAE Systems）的美國子公司，獲得 3,500 萬美元，使其在美國新罕布什爾州（New Hampshire）生產 F-15、F-35 等戰機和商用衛星用的關鍵晶片產量產量提高 3 倍。
▲ 獲美國補助的半導體廠。（Source：科技新報製圖）
Microchip
第二間補助美國微芯科技（Microchip Technology）1.62 億美元，目的是提高晶片和微控制器（MCU）產量。美國商務部指出，這筆資金將讓 Microchip 兩座工廠的成熟製程晶片與 MCU 產量增加三倍，對汽車、洗衣機、手機、路由器、飛機與國防工業等至關重要。
據報導，美國政府向 Microchip 提供的資金分為兩部分，其中 9,000 萬美元用於擴建科羅拉多州的製造廠，7,200 萬美元用於擴建俄勒岡州廠。
格羅方德（GlobalFoundries）
格羅方德將獲 15 億美元補助，以及 16 億美元額外貸款，來擴大半導體生產，並強化美國內供應鏈，預期兩州創造 125 億美元的潛在投資。
格羅方德將在紐約州馬爾他（Malta）興建新晶圓廠，同時擴建該鎮現有晶圓生產線，並擴大另一條在佛蒙特州柏靈頓市的生產線。其中，擴建後的伯靈頓生產線，將成為美國第一家具備大規模生產次世代氮化鎵（GaN）矽晶片能力的工廠，可用於電動車等智慧科技設備。
英特爾
英特爾獲得美國政府提供的 85 億美元補助及 110 億美元貸款，可支持其在美國超過 1,000 億美元的投資計畫。美國商務部指出，相關資金將支持營造和擴大英特爾在亞利桑那州、俄亥俄州、新墨西哥州、俄勒岡州等廠。
英特爾的五年投資計畫目標是將俄亥俄州哥倫布附近的空曠田野，打造成「全球最大 AI 晶片生產基地」，預計最快 2027 年啟動。
不過建設進度部分，英特爾延後俄亥俄州價值 200 億美元晶圓廠時間表，預期 2026 年底才完成設施興建。此外，英特爾將翻新新墨西哥和俄勒岡的工廠，以及擴大在亞利桑那州的運營。
英特爾執行長 Pat Gelsinger 表示，該 1,000 億美元計畫中約有 30% 用於人力、管道和混凝土等營建成本，剩餘資金將用於購買 ASML、東京威力科創、應用材料和科磊等公司的晶片製造設備。
台積電
台積電 8 日發布新聞稿，稱美國亞利桑那廠獲得美國政府66億美元的補助，同時宣布計畫在台積電亞利桑那州廠設立第三座晶圓廠，滿足強勁客戶需求，而台積電在美國的總投資額也來到 650 億美元。
台積電指出，除了 66 億美元直接補助，初步備忘錄將提供最高可達 50 億美元的貸款，公司也將申請最高可達 25% 的投資稅收抵免。
目前亞利桑那州廠的兩期工程完工後，將合計年產超過 60 萬片晶圓，終端產品市場價值預估超過 400 億美元。
三星
在台積電獲得美國補助後，有消息傳出，美國政府將於下週宣布對三星電子補貼至少 60~70 億美元，協助三星在德州奧斯汀（Austin）泰勒市（Taylor）的晶圓廠建設。
路透社報導，用於三星泰勒市四座廠房設備，包括 2021 年三星宣布、造價 170 億美元的晶圓廠，另外還有一座工廠、一座先進封裝設施及一個研發中心。消息人士透露，作為協議的一部分，三星計畫將美國的投資金額加逾一倍，超過 440 億美元，還有另一項投資，地點尚未公布。
根據彭博社最新報導，目前三星打算將資本支出擴大至 440 億美元，以獲取超過 60 億美元的美國政府撥款，不過在最終確定前，公告時間和細節仍可能發生變化。
SK 海力士
韓國記憶體大廠 SK 海力士宣布，斥資 38.7 億美元在美國印第安那州興建新先進記憶體封裝廠，預期 2028 年下半年開始營運，有望生產 HBM4 和 HBM4E 記憶體產品。
據報導，該廠將不加工帶記憶體電路的晶圓，而是從其他地方（如韓國 SK 海力士晶圓廠）獲得這些晶圓，再用已知良好堆疊裸晶組裝 HBM。
該工廠預期成本將大幅超越英特爾、台積電封裝廠成本，加上HBM4 和 HBM4E 記憶體堆疊比現有 HBM3、HBM3E 複雜，需要更複雜封裝設備，預期 SK 海力士印第安那州廠投產後，將成為世界上最先進的半導體封裝工廠之一，但是否獲得美國補助仍待商務部宣布。
（首圖來源：台積電）
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