SK 海力士率先全球量產 12 層堆疊 HBM3E

韓國記憶體大廠 SK 海力士 26 日宣布，率先業界開始量產 12 層堆疊的 HBM3E 記憶體，達成 HBM 產品最大 36GB 容量目標。

SK 海力士表示，高頻寬記憶體 (High Bandwidth Memory，HBM) 一種高附加值、高性能的記憶體。與現有 DRAM 產品相比，透過垂直互聯多個 DRAM 晶片，使數據處理速度顯著提高，產品按照 HBM 第一代（HBM）→第二代（HBM2）→第三代（HBM2E）→第四代（HBM3）→第五代（HBM3E）順序開發，HBM3E 是 HBM3 的擴展版。

SK 海力士指出，現有的 HBM3E 最大容量為 24GB，由八顆 3GB DRAM 晶片垂直堆疊而成，公司將在 2024 年底前向客戶提供相關產品，這是繼 2024 年 3 月在業界率先向客戶供應八層堆疊 HBM3E 記憶體之後，僅時隔六個月再次展現壓倒性的實力。

SK 海力士強調，自 2013 年全球首次推出第一代 HBM (HBM1) 記憶體，到先前推出第五代 HBM (HBM3E ) 後，是唯一開發完成，並能供應全系列 HBM 產品的企業。SK 海力士率先成功量產 12 層堆疊的產品，AI 記憶體所需要的速度、容量、穩定性等都達全球最高，不僅滿足 AI 企業日益發展的需求，同時也進一步鞏固了 SK 海力士 AI 記憶體市場的領導者地位。

SK 海力士進一步指出，此新產品的運行速度提高至現有記憶體的最高速度 9.6Gbps，以搭載四個 HBM 的單個 GPU 運行大型語言模型 (LLM) Llama 3 70B 時，每秒可讀取 35 次 700 億個整體參數的水準。堆疊 12 顆 3GB DRAM 晶片，達成與現有的八層堆疊產品相同的厚度，同時容量提升 50%。為此，SK 海力士還將單個 DRAM 晶片製造得比以前薄 40%，並採用矽通孔技術 (TSV) 技術垂直堆疊。

此外，SK 海力士也解決了在將變薄的晶片堆疊更多時產生的結構性問題。公司將其核心技術先進 MR-MUF 技術應用到此次產品中，放熱性能較上前一代提升了 10%，並增強了控制翹曲問題，從而確保了穩定性和可靠性。

SK 海力士 AI Infra 業務社長金柱善表示，再次突破技術壁壘，證明 AI 記憶體市場獨一無二的主導地位。為了迎接 AI 時代挑戰，會穩步準備下代記憶體產品，以鞏固全球頂級 AI 記憶體供應商地位。

(首圖來源：SK 海力士)