Tag Archives: 電晶體

10 奈米微縮不易，台積電難追上 Intel
作者 |發布日期 2015 年 03 月 17 日 13:53 |
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分類 Samsung , 零組件

台積電搶奪蘋果 A9 訂單的結果眾說紛紜，如今消息從三星電子（Samsung Electronics）通包，轉為台積電殺出成贏家。儘管如此，台積電和英特爾（Intel）之間的製程競爭，仍舊缺乏進展，Bernstein Research 認為台積電 10 奈米製程進度欠佳，難以完全追上英特爾。

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革命性研究引領半導體產業，單原子厚度矽烯電晶體已有突破性發展
作者 |發布日期 2015 年 02 月 19 日 12:00 |
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分類 奈米 , 晶片 , 會員專區

由美國德州大學奧斯汀分校（University of Texas at Austin）奈米材料科學家 Deji Akinwande 所帶領的團隊，日前於《自然（Nature）》期刊發布研究結果，表示已成功製造出僅有單原子厚度的矽烯（silicene）電晶體。若日後問世，有望為半導體產業帶來一波革新。 繼續閱讀..

Diodes 全新微型電晶體，佔位面積縮減 40%
作者 |發布日期 2015 年 01 月 29 日 18:40 |
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分類 市場動態 , 零組件

Diodes 公司（Diodes Incorporated）推出首批採用 DFN0606 封裝的 NPN 電晶體 MMBT3904FZ 和 BC847BFZ，以及 PNP 電晶體 MMBT3906FZ 和 BC857BFZ。新產品的電路板面積僅 0.36mm2，比採用 DFN1006（SOT883）封裝的同類型元件小 40%，並能提供相等甚至更佳的電氣效能。這些元件的離板高度只有 0.4mm，非常適合智慧型手錶、健康和健身設備等穿戴式產品，以及智慧型手機與平板電腦等侷限空間的消費性產品。 繼續閱讀..

交大找到超低功耗節能電子元件，未來行動裝置可十天充一次電
作者 |發布日期 2014 年 10 月 24 日 15:41 |
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分類 晶片 , 精選

電子元件尺寸將在六年內微縮至量子力學的極限，改善元件功率消耗達到節能效果，成為未來發展趨勢。交通大學電子工程系荊鳳德教授團隊找出超低功耗快速上升電晶體及單電晶體動態隨機存取記憶體，將減低未來的積體電路功率達 10 倍之多，實現行動裝置 10 天充一次電的期望。研究成果刊登在 IEEE Newsletter 通訊封面故事，更受邀發表技術簡介「節能電子元件的趨勢」於 2014 年的 IEEE 通訊。 繼續閱讀..

美高森美推出 750W GaN on SiC RF 電晶體
作者 |發布日期 2013 年 10 月 02 日 10:44 |
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分類 市場動態 , 會員專區

半導體解決方案供應商美高森美公司，近日推出新型 750W RF 電晶體，擴展其基於碳化矽（silicon carbide, SiC）襯底氮化鎵（gallium nitride, GaN）高電子移動率電晶體（high electron mobility transistor, HEMT）技術的射頻（radio frequency, RF）功率電晶體系列之陣容。在全系列空中交通管制和防撞設備中，MDSGN-750ELMV 提供了突出且最高的功率性能。目標應用包括商用二次監視雷達（secondary surveillance radar, SSR），這種設備全球各地都在使用，以詢問和識別距離機場地區和區域中心大約 200 英里範圍內的飛機。 繼續閱讀..