三星轉向 HBM 是否加速成熟製程競爭？

三星電子正全面調整半導體產能配置，計畫將約 20% 的 DRAM 產能轉向高頻寬記憶體（HBM），並加速平澤 P2、P3 及 P4 廠的設備升級，導入最先進的 1c 製程以供應次世代 HBM4。由於 HBM 晶粒尺寸約為傳統 DRAM 的兩倍，大規模轉產已實質擠壓標準型記憶體的供給量。目前三星與 SK 海力士、美光均採取「HBM 優先」策略，導致 DDR5 供應吃緊且價格看漲，而舊有的 DDR4 等成熟製程產線則因設備改造與產能排擠，面臨供應鏈結構性的縮減，進而推升整體記憶體市場的報價走勢。

這場產能大挪移背後的核心動機，在於三星試圖透過「汰弱留強」重奪獲利主導權。將成熟製程產線改造為先進 HBM 基地，不僅是為了追趕 SK 海力士的領先地位，更是藉由減少低毛利產品供給，人為製造標準型 DRAM 的供需缺口，以支撐整體平均售價（ASP）。三星打破過往垂直整合的堅持，在 HBM4 基礎裸晶轉向與台積電合作，顯示其策略已從「全拿」轉向「效能優先」。這種資源高度集中的現象，將使成熟製程市場的競爭從價格戰轉向產能稀缺戰，預計 2026 年前，全球記憶體市場將維持高位震盪，產業重心將徹底由通用型轉向 AI 客製化。