300mW 高功率雷射需求如何提升聯亞競爭力？

隨著 AI 資料中心對 800G 及 1.6T 高速光模組需求激增，矽光子技術成為主流，而 300mW 高功率雷射作為外部光源（ELS）的核心組件，正成為聯亞提升競爭力的關鍵。聯亞目前已針對矽光產品展開大規模布局，並投入約 7 億元購置 MOCVD 新機台，預計 2027 年貢獻營收。由於高功率雷射需在磷化銦（InP）基板上精準成長，聯亞憑藉其在 InP 磊晶的技術領先，已成功切入美系雲端服務供應商（CSP）供應鏈，並預計新增多個模組客戶，帶動矽光產品出貨量呈現倍數成長。

矽光子架構因光波導損耗較大，必須仰賴 300mW 等級的高功率雷射來維持訊號強度，這對磊晶結構的熱穩定性與發光效率提出極高要求。聯亞選擇在此時加碼資本支出，核心動能在於高功率雷射的技術門檻能有效過濾二線競爭者，鞏固其在高階光通訊市場的議價能力。隨著 1.6T 世代來臨，外部光源的規格升級將推升 InP 磊晶的平均售價（ASP），聯亞透過與美系大廠的深度綁定，不僅能緩解基板供應短缺的風險，更能在 CPO 產業鏈中從單純的材料供應商轉型為關鍵策略夥伴，確保長期獲利動能。