日本半導體材料龍頭 JSR 與全球設備巨頭應用材料(Applied Materials)正針對 2 奈米及更先進製程展開深度研發合作,核心聚焦於極紫外光(EUV)微影技術中的金屬氧化物光阻(MOR)。JSR 預計於 2025 年底在韓國量產 MOR 產線,而應材則推出配套的原子層沉積(ALD)與蝕刻系統,雙方透過「材料與設備協同優化」解決先進製程中線寬控制與圖案坍塌的物理極限。這項合作不僅能將電阻降低達 25%,更可使材料成本較傳統乾式光阻減少約 33%,為即將到來的 GAA 電晶體架構量產提供關鍵技術支撐。
這場跨國合作反映了半導體產業從單純的設備買賣轉向「系統級共同開發」的戰略轉型。隨著製程微縮至埃米等級,材料特性與設備參數的耦合度大幅提升,JSR 掌握的高純度化學配方必須與應材的精密真空環境完美契合,才能在 2 奈米節點實現高良率。對 JSR 而言,藉由應材的全球裝機優勢可加速 MOR 規格成為產業標準;對應材來說,整合先進材料能強化其在 GAA 與 3D 堆疊技術的護城河。這種材料商與設備商的強強聯手,將有效分散研發風險,並在美日韓半導體供應鏈重塑的背景下,確保先進製程客戶的供應鏈韌性與成本競爭力。