聯電赴日代工記憶體，能否填補車用市場缺口？

聯電日本子公司 USJC 傳出將與矽智財大廠力旺合作，利用 45/40 奈米製程切入 2D NAND 與 NOR Flash 代工領域，預計 2026 年下半年試產、2027 年正式量產。這項計畫落腳於具備車載認證經驗的三重 12 吋廠，旨在填補一線記憶體大廠轉向 3D NAND 與 HBM 後留下的低密度記憶體產能真空。隨著全球車用與工控市場對長生命週期晶片的需求持續擴大，聯電此舉不僅是睽違多年重返記憶體市場，更創下台資晶圓代工廠首度在日本生產記憶體的紀錄，為緊繃的供應鏈提供關鍵後援。

這次戰略佈局背後的核心動機在於「價值重定義」與「地緣風險分散」。當三星、美光等巨頭全力追逐 AI 帶動的高階產能時，車用電子所需的成熟製程記憶體反而成為高毛利的剛性需求。聯電透過日本廠提供「非中產能」的溢價優勢，精準對接日系車廠對供應鏈韌性的嚴苛要求，避開了與中國代工廠的價格戰。長期來看，這不僅能優化聯電的產品組合，讓成熟製程從產能過剩的隱憂轉化為穩定的獲利引擎，更藉由深耕日本半導體聚落，強化其在「Taiwan+1」趨勢下的全球議價能力與產業地位。