長江存儲產能轉向 DRAM，對 NAND 供需有何衝擊？

中國記憶體龍頭長江存儲（YMTC）近期傳出將武漢新廠的部分產能轉向 3D DRAM 與 HBM 研發，此舉打破了市場原先預期其將全力衝刺 NAND Flash 產出的劇本。根據供應鏈消息，長江存儲正加速建設武漢三期晶圓廠，並成立新公司注資逾 207 億人民幣，旨在應對美國出口管制下的 AI 晶片國產化需求。儘管該公司仍計畫在 2026 年挑戰全球 NAND 產量 15% 的市佔目標，但隨著資源向高毛利的 DRAM 傾斜，加上技術迭代與良率爬坡的挑戰，短期內對全球 NAND 市場的供給貢獻恐低於預期，難以緩解目前由 AI 推論帶動的結構性缺貨。

長江存儲的策略轉向反映出中國半導體產業在「去美化」壓力下，正從單一儲存技術轉向建構完整的記憶體雙引擎格局。將產能配置給 3D DRAM，本質上是為了填補 HBM 禁令後的技術真空，並優先滿足華為、字節跳動等本土 AI 巨頭的內需。對全球 NAND 產業而言，這意味著原本預期的「產能大氾濫」風險已顯著降低。在三星、美光等大廠同樣將重心移往 HBM 的背景下，長江存儲的產能分流將加劇 NAND 供給端的緊縮。預計 2026 年 NAND 產業將維持 15-20% 的供給缺口，價格主導權將重回原廠手中，企業級 SSD 與高密度儲存產品的漲價趨勢短期內難以逆轉。