為何三星 P5 優先布局 DRAM 而非 NAND 產線？

三星電子已確認調整平澤 P5 工廠的建置優先順序，打破過往新建晶圓廠先布局 NAND 快閃記憶體的慣例，轉而優先導入 10 奈米級第六代（1c）DRAM 與 HBM4 產線。根據供應鏈消息，三星已向 ASML 訂購約 70 套曝光設備，其中包含 20 套價值超過 10 兆韓圜的 EUV 曝光機，預計於 2027 年第二季進駐 P5 一期無塵室。此舉旨在配合輝達（NVIDIA）Rubin 架構 GPU 的發表節奏，並因應全球 AI 基礎設施對高階記憶體的強勁需求，確保在 2027 年能大幅提升先進製程 DRAM 的產能供給。

這項策略轉變反映出三星在 AI 浪潮下，將資源集中於高毛利與具壟斷性產品的決斷。目前 DRAM 市場需求已達供應能力的數倍，且 HBM 生產對晶圓的消耗量是傳統 DRAM 的三倍，導致產能出現嚴重的結構性排擠。三星選擇在 P5 優先擴張 1c 製程，不僅是為了在 HBM4 世代重奪技術主導權，更是看準 DDR5 與 LPDDR5X 因產能轉向 HBM 而引發的缺貨漲價潮。相較於競爭激烈的 NAND 市場，三星透過西安廠維持 NAND 供給，並將 P5 打造為 DRAM 核心基地，能更有效地極大化獲利並鞏固其在賣方市場的議價優勢。