三星產線轉型 1c DRAM 對記憶體供給的意義？

三星電子正全面加速產線轉型，將平澤園區（P2、P3、P4）及華城 17 號線的部分產能，由舊世代 DRAM 或 NAND 轉換為最新的 10 奈米級第六代（1c）DRAM 製程。根據最新規劃，三星目標在 2025 年底前將 1c DRAM 月產能擴大至 20 萬片，約佔其總產能的三分之一。此舉核心在於為次世代 HBM4 鋪路，透過導入多層 EUV 技術提升晶片密度與能效。儘管目前 1c 製程良率仍處於 50% 至 70% 的爬坡階段，但三星已同步啟動 P4 專用線建設，並與韓美半導體合作強化封裝，力求在 2025 年下半年啟動量產，以應對 AI 伺服器市場對高階記憶體的迫切需求。

這場大規模的製程躍進反映出三星試圖在 HBM4 世代「超車」的戰略野心。相較於 SK 海力士與美光選擇以較成熟的 1b 製程作為 HBM4 基礎，三星大膽押注 1c 技術，旨在利用更細微的線寬優勢，在單顆晶粒性能與堆疊厚度上取得領先。從供給面來看，這種「以新代舊」的產線轉換雖然短期內會因製程轉換造成產能損失，加劇通用型 DRAM 的缺貨壓力，但長期而言，將資源集中於高附加價值的 1c 產品，能有效提升單片晶圓的獲利能力。隨著 AI 需求達到供應能力的三倍，三星此舉不僅是為了重奪技術主導權，更是為了在 HBM4 成為市場主流前，提前鎖定定價權並緩解全球高階記憶體荒。