限制 DUV 設備能否有效阻斷中國 AI 晶片發展？

美國與荷蘭政府近期持續收緊深紫外光（DUV）微影設備的出口管制，重點鎖定 ASML Twinscan NXT:1980i 等中高階機型，並試圖切斷售後維修支援。然而，中國半導體巨頭如中芯國際與華為，正透過「多重圖案化」（Multi-patterning）技術，利用現有 DUV 設備強行推進 7 奈米甚至 5 奈米製程，以供應國產 AI 晶片需求。儘管中國宣稱在國產 DUV 研發取得突破並進入測試階段，但受限於物理極限與缺乏極紫外光（EUV）設備，其先進製程的量產穩定性仍面臨嚴峻挑戰，顯示封鎖政策已迫使中國轉向技術變通與自主研發的雙軌路徑。

限制 DUV 設備的核心邏輯在於「拉高研發成本」而非單純的技術斷供。強制中國晶圓廠在缺乏 EUV 的情況下使用 DUV 進行多重曝光，將直接導致良率大幅下滑與生產週期拉長，使其 AI 晶片在商業競爭力上難以與國際大廠抗衡。這種「以時間換取空間」的策略，雖然短期內無法完全阻斷中國 AI 晶片的產出，卻能有效延緩其運算力迭代的速度。未來中國半導體產業將陷入「高成本自給自足」的困境，即便能透過架構創新或封裝技術彌補製程劣勢，但在全球 AI 算力競賽中，缺乏高效能、低成本的先進製程支撐，仍將是其難以跨越的產業天花板。