三星 HBM4 甫量產即推新樣品，其產能配置挑戰為何？

三星電子在 2026 年初正式啟動 HBM4 量產並向輝達、AMD 提供新樣品，目標在年底前將 HBM4 產能提升至整體 HBM 的一半。為達成此目標，三星正加速平澤 P2 至 P4 廠的設備升級，並將 1c DRAM 產能擴增至每月 15 萬片。然而，目前 1c 製程在 HBM4 的良率僅約 50%，尚未達到 70% 的穩定門檻，且大規模轉產已導致標準型 DDR5 供應吃緊。三星高層證實，在產能有限下將採取「策略性供應」，優先保障戰略合作夥伴，這意味著一般客戶將面臨更嚴峻的缺貨壓力。

三星採取「汰弱留強」的激進策略，背後核心動機在於透過人為製造標準型記憶體缺口來支撐平均售價，同時傾全力追趕 SK 海力士的領先地位。HBM4 規格的劇變使基礎裸晶轉向邏輯製程，迫使三星打破過往垂直整合的堅持，轉向與台積電等代工夥伴深度協作，這不僅是技術瓶頸的妥協，更是為了降低散熱與封裝難度的必要手段。若三星無法在 2026 年上半年將良率有效拉升，其「以量補質」的價格戰策略恐將侵蝕利潤，並在對手產能早已售罄的壓力下，面臨市佔重分配的最後攤牌。