晶背供電技術普及將如何帶動高階量測需求？

隨著台積電 A16、英特爾 PowerVia 及三星 BSPDN 技術相繼問世，晶背供電已成為 2 奈米以下先進製程的標配。這項技術將原本位於晶片正面的電源網路移往背面，雖解決了訊號干擾與 IR 壓降問題，卻也讓半導體測試難度呈幾何級數增長。根據測試設備龍頭愛德萬測試的報告，導入晶背供電與 GAA 結構後，原本單站的測試流程可能需拆分為多站，導致測試時間大幅拉長。這不僅推升了自動化測試設備（ATE）的市場需求，更帶動高階量測儀器在晶圓減薄、亮點定位及電性量測上的技術革新，預計將在 2026 年推升測試設備市場規模挑戰歷史新高。

半導體大廠集體轉向晶背供電，核心動能在於突破 AI 與 HPC 晶片的功耗與密度瓶頸。從產業鏈角度看，這場技術變革正將競爭重心從單純的「製程微縮」轉向「系統級良率管理」。由於晶背供電改變了晶圓物理結構，傳統由正面進行的失效分析（FA）已力有未逮，業者必須投入更多資源於奈米級探針（Nano-probe）與雷射電壓探測（LVP）等高階工具，以精準捕捉隱藏在多層結構下的缺陷。這種對量測精準度的極致追求，將使測試成本在晶片總成本中的占比顯著提升，並促使設備商從單純的供應商轉型為製程開發的關鍵夥伴，形成一個由技術複雜度驅動的長期高成長循環。