布里斯托大學開發新型半導體技術，加速 6G 發展進展

在布里斯托大學（ University of Bristol ）的研究團隊開發出一種名為 SLCFETs 的突破性電晶體結構，這一創新利用氮化鎵（GaN）材料中的鎖存效應（latch-effect）來提升速度和功率，為未來的 6G 技術鋪平道路。這項研究的成果發表在《自然電子學》期刊上，幫助自駕車運算、在家中獲得即時的醫療診斷，這些將不再是科幻小說中的情節。

這些未來概念的實現依賴於能夠比現有網路更快地傳輸大量數據。物理學家們開發了一種創新的方法，加速全球範圍內的數據傳輸。布里斯托大學的物理學教授馬丁·庫巴爾（Martin Kuball）表示：「在未來十年內，之前幾乎無法想像的技術將會廣泛可用，這些技術將徹底改變人類的多種經歷。」

隨著從5G向6G的過渡，半導體技術、電路、系統及相關演算法的重大升級必不可少。關鍵的半導體組件──由氮化鎵製成的射頻放大器，必須具備更高的速度、提高功率並增強可靠性。科學家和工程師團隊測試了一種新架構，顯著提升了氮化鎵放大器的性能，這一突破源於對氮化鎵中鎖存效應的發現，進而大幅改善了射頻設備的性能。

這些新一代設備使用平行通道，並需要小於100奈米的側鰭，這是一種控制電流流動的晶體管。研究團隊的共同首席作者阿基爾·沙吉（Akhil Shaji）博士解釋：「我們與合作夥伴共同開發的SLCFETs技術，擁有超過1,000個小於100奈米的鰭，能夠有效驅動電流。」這些SLCFETs在W波段頻率範圍內表現出最高性能，對應於75 GHz至110 GHz的頻率。

研究顯示，這種鎖存效應可以被利用於無數實際應用，未來幾年內可能會在多個方面改變人們的生活。接下來的工作將包括進一步提高設備的功率密度，以便提供更高的性能並服務更廣泛的目標族群。，並有助於推動 6G 發展與提升數據傳輸效率。

（首圖來源：pixabay）