iDEAL Semiconductor 擴展 SuperQ™ 平台，推出業界領先的 150 V MOSFET，實現創紀錄的低電阻

iDEAL Semiconductor 於今年 10 月 16 日 –宣布發布其 SuperQ™ 150 V MOSFET 系列 ，該系列現已開始批量生產，並提供多種業界標準封裝的樣品 。

新元件擴展了 iDEAL SuperQ 架構的性能領先優勢 ，實現了導通電阻 (RDS(on)​) 的創紀錄低值 ，同時保持了矽材料在成本、可製造性和堅固性方面的優勢 。

SuperQ 150 V 系列推出了多款性能優化元件 ，其中包括：

• 6.4 mΩ (最大值) 的 iS15M7R1S1C ，採用緊湊型 PDFN 5 x 6 mm 封裝 。
• 2.5 mΩ (最大值) 的 iS15M2R5S1T 系列 ，提供 TOLL、D2 PAK-7L 和 TOLT 封裝 。

iS15M2R5S1T 具有業界並列最低的電阻 ，比次優競爭對手低 36% 。

其他版本也正在提供樣品，包括：

• 5.5 mΩ 的 MOSFET，採用 PDFN 5 x 6 mm 封裝 。
• 8.8 mΩ 的 MOSFET，提供 TO-220 和 PDFN 5 x 6 mm 版本 。

目標應用包括馬達驅動、電池保護電路、AI 伺服器和開關模式電源 。這些市場對超低傳導損耗、高堅固性和可擴展的矽製造有要求 。

iDEAL Semiconductor 執行長兼聯合創始人 Mark Granahan 表示：「我們的 150 V SuperQ MOSFET 重新定義了矽的性能極限，實現了曾經被認為不可能的能力 。」 他補充說：「我們正在以矽材料久經考驗的可靠性、可製造性和成本優勢來提供高性能 。這些元件為工業、汽車和資料中心應用開闢了新的設計可能性 。」

所有 SuperQ 150 V 元件均提供即插即用相容的業界封裝，包括 TOLL、TOLT、D2PAK-7L、TO-220 和 PDFN 5 x 6 mm 。

新系列加入了 iDEAL 現已投產的 200 V SuperQ 產品線 ，同時正在開發 250 V 至 650 V 平台 ，以將矽的應用範圍擴展到更高的電壓領域 。

如需了解規格和訂購資訊，請造訪 www.idealsemi.com。

（首圖來源：iDEAL Semiconductor）