iDEAL Semiconductor 以 SuperQ™ MOSFET 為高壓電池設定新安全標準

iDEAL Semiconductor 是高效能功率矽的領導者，今天宣布推出其 SuperQ™ MOSFET 技術，專門設計用來解決高電壓（72V 及更高）電池管理系統（BMS）中關鍵的安全與效率權衡問題。此新平台為 BMS 放電開關的最重要安全指標——短路耐受能力（SCWC）——設定了業界基準。

電動車、無人機與專業電動工具中高電壓電池組的普及帶來了高風險挑戰：在外部短路事件中防止災難性故障，此時電流可能激增至數千安培。放電 MOSFET 是唯一負責在這些極端條件下隔離電池組的元件。

「在高能量電池組中，耐受性是不可妥協的。傳統 MOSFET 設計不得不使用超低 RDS(on) 以提高效率，以及承受巨量短路電流所需的結構完整性之間妥協，」iDEAL Semiconductor 設計副總裁 Phil Rutter 博士表示。「SuperQ™ 平台消除了這種妥協。我們的專利結構提供了市場最低的導通電阻，同時具備無可匹敵的安全餘度，讓工程師有信心建構更小、更可靠且成本更低的電池系統。」

1.4 倍優異的短路耐受電流

iDEAL Semiconductor 的內部測試證明了 SuperQ 的顯著性能優勢。對 iS15M2R5S1T（150V、2.5mΩ、TOLL 封裝）與領先競爭對手的直接比較顯示：

SuperQ 元件展現出比其最接近競爭對手高 1.4 倍的短路故障能力。此突破性性能透過專利結構實現，該結構具有更寬的導電區域，在極端壓力下最大化功率密度與結構完整性。

更低的系統成本與更高的可靠性

對於電池組工程師而言，此優異的 SCWC 直接轉化為系統級優勢：

• 元件減少：由於每個 SuperQ 元件可處理顯著更高的短路電流, 工程師可使用高達 50% 更少的並聯 MOSFET 以滿足相同的安全要求。

• 成本節省：減少元件數量與複雜度導致物料清單（BOM）總成本大幅降低，並簡化電路板佈局。

• 效率：維持5mΩ 的超低 R_DS(on) 最小化導通損耗，延長電池運行時間並減少熱管理需求。

SuperQ 產品組合現已上市，提供高達 200V 的元件，為從 72V 到超過 144V 的電池平台提供解決方案。

有關更多細節以及電池管理系統中其應用的白皮書，請瀏覽官網。

（資料來源：iDEAL Semiconductor；首圖圖說：新型 150V / 2.5mΩ 元件提供業界領先的短路耐受性，並使 72V+ BMS(電池管理系統)的元件數量減少高達 50%。）