2027 年版 iPhone 可能導入先進 AI 記憶體技術

據韓國媒體《ETNews》報導，為了紀念 iPhone 問世 20 週年，蘋果正在開發多項技術創新，其中一項核心技術是「行動高頻寬記憶體」（Mobile HBM）。

HBM 是一種先進的 DRAM 技術，透過「矽通孔」（TSV）將記憶體晶片垂直堆疊，顯著提升訊號傳輸速度。該技術目前廣泛應用於 AI 伺服器，因此也常被稱為「AI 記憶體」，可搭配 GPU 支援大規模 AI 運算。

所謂「行動 HBM」，即為針對手機等行動裝置設計的 HBM 變體，其目標是在保有高資料傳輸率的同時，降低功耗與記憶體晶片面積。為提升裝置端 AI 能力。報導指出，蘋果正考慮將 Mobile HBM 與 iPhone GPU 單元整合，作為實現此目標的有力選項。

這項技術有望為 iPhone 帶來在地運行大型 AI 模型的能力，例如推論大型語言模型或進行高階視覺任務，並兼顧低耗電與低延遲。

報導也提到，蘋果可能已與主要記憶體供應商，如三星電子與 SK 海力士，洽談合作方向。這兩家公司目前都在開發各自版本的 Mobile HBM；三星採用名為 VCS（Vertical Cu-post Stack）的封裝技術，而 SK 海力士則研發 VFO（Vertical wire Fan-Out）方案，兩者均預計於 2026 年後量產。

不過，Mobile HBM 在製程上仍面臨挑戰，包括製造成本遠高於現行 LPDDR 記憶體，以及散熱問題，尤其對像 iPhone 這類輕薄裝置而言。3D 堆疊與 TSV 封裝也需仰賴高度成熟的製程與良率控制。

若蘋果最終於 2027 年的 iPhone 採用此項技術，將成為其推動 iPhone 20 週年紀念機型創新的一大亮點；另一大亮點則是該機型據傳亦將搭載四邊無邊框螢幕設計。