在最新的研究中，科學家們確認了二氧化釕（RuO₂）薄膜做為一種新興的磁性材料，展現出所謂的「交替磁性」（altermagnetism），這個磁性狀態有潛力為未來的人工智慧（AI）和資料中心技術提供超快速、高密度的記憶體解決方案。這項研究由來自日本國立材料科學研究所、東京大學、京都工藝纖維大學及東北大學的研究團隊共同進行，並於今年 9 月 24 日發表於《自然通訊》期刊。 繼續閱讀..