日本名古屋大學研究團隊宣布，在新一代半導體氧化鎵（Ga₂O₃）研究上取得關鍵突破，成功透過新技術製作出製作出 p 型層，首次邁過長期困擾學界的瓶頸。 繼續閱讀..
名古屋大學突破氧化鎵瓶頸，成功製作 p 型層 |
作者
蘇 子芸|發布日期
2025 年 09 月 02 日 12:00 |
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