武漢新芯與紫光集團聯手,中國 NAND Flash 產業邁入新章

作者 | 發布日期 2016 年 07 月 27 日 15:30 | 分類 晶片 , 零組件 follow us in feedly
NAND flash

紫光集團預計於武漢成立長江儲存科技,未來將納入武漢新芯並統籌旗下一切記憶體發展項目,目前整體規劃朝向 NAND Flash 產業發展。TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 研究協理楊文得表示,紫光集團與武漢新芯聯手,使中國記憶體產業發展進入新章,可望為後續中國布建自主性記憶體產業帶來進展。中國業者近一年來藉布局記憶體產業所展現的規劃力、執行力與彈性均不容小覷,未來一舉一動都將牽動全球記憶體產業格局。



DRAMeXchange 預估 2011~2016 年 NAND Flash 位元需求量的年複合成長率高達 47%,在 SSD 需求高度成長的帶動下,NAND Flash 未來 10 年可望皆維持高度成長態勢,因而紫光集團與武漢新芯目前的發展將著力於 NAND Flash 產業。楊文得指出,武漢新芯原為 NOR Flash 大廠,在生產經驗、廠房與產能建置等基礎建設有所擅長,而紫光集團則在資金募集及策略併購等均有過人之處,透過兩強攜手整合資源,能使中國記憶體產業投資的整體資源配置更加集中,並在整合上產生更多綜效,對內得以於未來中國記憶體產業的發展中瞄準較佳的地位,對外則能提升產業上談判的籌碼,有助於中國建立產業自主性,後續發展值得關注。

現階段武漢新芯在 NAND Flash 的布局領先其他中國記憶體業者,其與飛索半導體合作開發的 3D-NAND Flash 技術正持續往 32 層堆疊的初期量產目標邁進,今年 3 月也在大基金的支持下興建新 3D-NAND Flash 廠,預計 2018 上半年實現量產目標。至於其他 NAND Flash 業者,三星除西安廠的投資外,南韓平澤廠區也規劃新的 3D-NAND Flash 產能。東芝與威騰公司旗下晟碟在日本 Fab2 廠的產能持續增加,新廠也可望自 2018 下半年投產最新製程的 3D-NAND。SK 海力士則除現階段 M11 與 M12 廠外,M14 廠第二階段 3D-NAND 的生產也將從明年第一季開始進行。美光現除了新加坡 Fab10X 的擴建外,並未有新廠規劃。楊文得進一步表示,由於 3D-NAND Flash 的廠房新建等投資遠高於 2D-NAND Flash 的數倍,因此美光集團若能與紫光集團/武漢新芯比照「華亞科」模式合作(美光提供生產技術,合作方提供資金與生產產能),則能以較低的財務負擔來獲取長期新產能的布建,更有機會在市佔率拉近與三星和東芝/威騰陣營的距離。因此紫光集團與武漢新芯的聯手格外引人矚目。

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