2016 年全球快閃記憶體高峰會,中國廠商能見度快速攀升

作者 | 發布日期 2016 年 08 月 25 日 14:25 | 分類 中國觀察 , 記憶體 , 零組件 follow us in feedly
FLICKR Uwe Hermann

快閃記憶體產業的指標性展會──2016 年全球快閃記憶體高峰會(2016 Flash Memory Summit)甫落幕,TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 研究協理楊文得表示,大會連續兩年設置中國專場,並由華瀾微電子總裁駱建軍博士擔任論壇主持人,顯示出中國市場已成國際關注焦點,中國快閃記憶體廠商的發言權與能見度正快速攀升。



由於行動裝置需求的快速增長及伺服器、資料中心的大量建置,中國市場 NAND Flash 消耗量呈爆發式成長。DRAMeXchange 預估 2017 年中國市場所消耗的 NAND Flash 量將佔全球 30% 以上,2020 年將佔全球逾 40%,成為中國大力進軍 NAND Flash 產業,積極建立上中下游完整供應鏈的主要原因。

楊文得分析,3D-NAND Flash 最晚將於 2018 年超越整體 NAND Flash 市場的一半,進一步推升固態硬碟儲存應用的容量與市場規模,至 2020 年整體 NAND Flash 需求將維持每年 40% 的高成長率,中國巨大的市場發展潛力勢必帶動眾多 NAND Flash 廠商投入,未來中國廠商的布局更加火熱。

本屆快閃高峰會中國廠商的動態可從記憶體製造、主控晶片與應用市場兩大面向看出其強大的發展企圖:

記憶體製造端:武漢新芯為目前中國 NAND Flash 製造端廠商中最具規模者,與國際大廠飛索半導體(Spansion)合作發展 3D-NAND Flash,預計 2018 上半年量產第一世代的 3D-NAND 產品。今年 7 月武漢新芯正式與紫光集團成立長江存儲科技公司,將有效整合中國在 NAND Flash 製造端發展能量。楊文得表示,為拉近與國際記憶體大廠的距離,中國產學界代表也聯合展示快閃記憶體 FTL 技術及復旦大學 的RRAM 商業化嘗試,可見中國在快閃記憶體布局有長遠規畫。

主控晶片與應用市場:中國主控晶片廠如華瀾微、憶恆創源與華為等一線大廠皆參與盛會,看準固態硬碟未來 5 年快速成長的商機,各廠正強化在固態硬碟整體存儲設備及 PCIe 高速接口的研發能量。此外,為實現建立自主產業鏈的目標,華瀾微與華為等廠商也展示自主開發的 IP 與基礎性結構研究。楊文得進一步表示,近年來中國主控晶片業者以自主開發或併購等方式獲取關鍵 IP 技術的進展速度加快,預期兩年內將有更多 NAND Flash 主控晶片廠跨國合作與購併。

(首圖來源:Flickr/Uwe Hermann CC BY 2.0) 

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